Cтраница 2
Напомним, что энергия ионизации примеси измеряется сотыми долями электронвольта. [16]
Напомним, что энергия ионизации примеси измеряется сотыми долями электронвольта. [17]
Естественно, что процесс ионизации примесей начнет заметно проявляться при значительно более низких температурах, чем те значения температуры, при которых развивается процесс тепловой генерации пар зарядов - в собственном полупроводнике. [18]
Это взаимодействие может приводить к ионизации примесей, и, следовательно, к фотопроводимости и, возможно, фотоэмиссии. [19]
Дж - энергия адсорбции и ионизации примеси материала датчика, определена экспериментально; k - постоянная Больцмана; Т - абсолютная температура. [20]
Однако в некоторых соединениях энергия ионизации примесей значительно больше 0 01 эв и соответствующие спектры поглощения зафиксированы на опыте. [21]
Такая фотопроводимость возникает в результате фототермической ионизации примесей. Оценки показывают, что высота пиков фотопроводимости при фототермической ионизации существенно превышает фотоотклик в области энергий h &i. Оптимальные температуры для реализации фотопроводимости за счет фототермической ионизации составляют: 4 2 К - для арсенида галлия, 7 - 10К - для германия, около 23 К - для кремния. [22]
![]() |
Тепловая генерация носителей заряда в полупроводнике с донорной примесью. [23] |
Так как свободные электроны возникают благодаря ионизации примеси и основного вещества, то при данной температуре эти два процесса могут играть неодинаковую роль. Для перевода электрона из валентной зоны в зону проводимости необходима энергия, равная ширине запрещенной зоны A. Неравенство сохранится до тех пор, пока вся примесь не будет ионизована. [24]
![]() |
Спектры поглощения германия, легированного сурьмой, с Wd8 - 1015 K см-3. 1 - Г 4 2 К, g Q. 2 - Г 4 2 К, 5 Г100 el 3 - Г77 К. [25] |
В образцах с меньшей концентрацией доноров ионизация примесей наступает при меньших полях, однако экситонный пик исчезает не полностью. Изменение спектра поглощения с увеличением поля происходит до тех пор, пока не наступит полная ионизация примеси. После этого спектр останется неизменным, если не вступят в действие механизмы электростатической и ударной ионизации экситонов. [26]
С ростом температуры окружающей среды из-за ионизации примесей уменьшается сопротивление базы диода и соответственно сопротивление светодиода, включенного в прямом направлении. [28]
Таким образом, для определения энергии ионизации примеси в данном случае необходимо построить зависимость lg ( oT - 3 / 2) от То / Т и по ее линейному участку вычислить тангенс угла наклона. [29]
![]() |
Схема иониэацнонно-пламенного детектора. [30] |