Ионизация - примесь
Cтраница 4
Константа ионизации органического соединения должна быть меньше константы ионизации примеси. [46]
Из (2.4.2.01) видно, что, если энергия ионизации примеси С ( 5) ниже, чем у кристалла-хозяина. A ( s), равновесие перемещается вправо, в сторону захвата дырки примесной молекулой. Формула (2.4.2.02) описывает захват электрона на примесную молекулу, у которой сродство к электрону выше, чем у кристалла-хозяина. Такая оценка порядка величины вполне удовлетворительна, если учесть, что значение / получено для чистого кристалла тетрацена и должно слегка отличаться в случае молекулы тетрацена, растворенной в матрице антрацена; знак минус указывает, что ловушка устойчива. [47]
До настоящего времени мы полагали, что энергия ионизации примеси не зависит от ее концентрации и является величиной постоянной. В реальных же полупроводниках энергия ионизации уменьшается с увеличением концентрации примеси. Вокруг ионизированных доноров и акцепторов образуется поле кулоновского потенциала, которое притягивает электроны и дырки. [48]
Более точная теория, позволяющая количественно рассчитать энергии ионизации примесей Ел и Еа, была развита в работах, учитывающих несферичность изоэнергетических поверхностей. Киттель и Митчелл [21], Кон и Латтинжер [22 - 25] решили эту задачу для эллипсоидальных поверхностей германия и кремния. [49]
Водородоподобная модель2) довольно успешно объяснила значения энергии ионизации примесей элементов III и V групп в германии. [50]
Таким образом, критическая концентрация очень чувствительна к энергии ионизации примеси и величине эффективной массы. [51]
Таким образом, критическая концентрация очень чувствительна к энергии ионизации примеси и величине эффективной массы. В соединениях AlllBv критическая концентрация может иметь значения много меньше 1019 см-3. Nfp) получим значение кр 1012 см 3, что наблюдается для антимонида индия. Критическая концентрация Л дКр позволяет оценить концентрацию, необходимую для начала вырождения полупроводника, поскольку при F EC полупроводник перестает быть невырожденным, однако это еще не есть вырождение в том смысле, что концентрация носителей заряда не зависит от температуры в каком-то интервале. Для этого необходима большая концентрация примеси. [52]
Очевидно, что условие nQ NgM соответствует слабой степени ионизации примесей ( ибо уровень Ферми лежит выше примесных уровней); случай nQ N м соответствует полной ионизации примесей. Поскольку при полной ионизации фотоэффект, очевидно, невозможен, этот случай для нас не представляет интереса. [53]
 |
Тем свойства элементов Aii / PcZn / M нческие. [54] |
В классической модели область пространственного заряда образуется за счет ионизации примесей в полупроводнике вблизи одного из контактов. [55]
 |
Зависимость электропроводности невырожденного полупроводника n - типа от температуры и концентрации доноровNa ( Ndl Nd2 Nd3. [56] |
Температурная зависимость концентрации основных носителей в легированном полупроводнике зависит от ионизации примеси и представлена на рис. 3.23 для полупроводника п-ти-па. Аналогичные зависимости наблюдаются и для дырок в полупроводниках р-типа. [57]
Полученный спектр располагается в области энергий фотонов, меньших энергии ионизации примесей 0, и состоит из линий спектральных серий, отвечающих энергиям оптич. У примесей одного типа доноров или акцепторов) разной хим. природы в данном ПП энергии возбужденных состояний, в к-рые осуществляется переход, различаются очень мало, а энергии осн. Полупроводники), что и позволяет определять хим. природу примесей по спектрам фотопроводимости. [58]
Страницы: 1 2 3 4