Генерация - носитель
Cтраница 1
 |
Спектральные зависимости объемной фотопроводимости кристаллов ЦТПТ. Показаны расположение электродов и ориентация кристаллов по отношению к возбуждающему свету. [1] |
Генерация носителей, пропорциональная интенсивности света, может быть обусловлена автоионизацией экситонных состояний, прямыми межзонными переходами или диссоциацией экситонов на примесных состояниях. Последний процесс в кристаллах ЦТПТ, вероятно, не существен, поскольку создание большого числа дефектов или примесей при помощи бомбардировки тяжелыми ионами или пластической деформации кристаллов не меняло спектральных зависимостей и абсолютных значений фототока. Исключение из рассмотрения взаимодействия экситонов с дефектами указывает на собственный характер генерации носителей. [2]
Генерацию носителей при многофотонном поглощении света в принципе также можно объяснить, оставаясь на той точке зрения, что в антрацене и подобных ему полиаценах ей предшествует автоионизация промежуточного возбужденного молекулярного состояния. Образование экситонов в объеме органических кристалов при многофотонном поглощении мы уже рассматривали в разд. Объемную многофотонную генерацию носителей впервые наблюдал Строум [94], использовавший комбинации импульсов света длительностью 40 не с энергией 2 07 эВ ( 597 нм), 2 16 эВ ( 571 нм) и 2 35 эВ ( 525 нм) для образования в кристаллах антрацена состояний с энергией, равной энергии двух квантов. Свет с такой энергией квантов имел низкий коэффициент поглощения, поэтому равномерно поглощался в объеме кристалла, и не мог порождать синглетные экситоны с энергией 3 15 эВ в однофотонном процессе. [3]
Если генерация носителей происходит равномерно во всем кристалле и поверхностная рекомбинация отсутствует, то генерированные носители в нем перемещаться не будут, если не приложены внешнее электрическое поле или градиент температур. [4]
При генерации носителей светом используются низкие энергии возбуждения, и в случае сильнопоглощаемого света эта генерация происходит в приповерхностной области кристалла. [5]
 |
Вольт-фарадная характеристика МОП-диода р-типа. Сох - емкость окисного слоя, Cfb - емкость плоских зон, фэ, фв - обозначения согласно, а. [6] |
Время генерации носителей зависит от плотности дефектов на границе раздела Si-ЭЮг, которая определяется технологией изготовления приборов. Следовательно, время отклика электронов в инверсном слое также зависит от технологического процесса изготовления МОП-структуры. [7]
 |
Энергетическая диаграмма и графики распределения Ферми - Дирака для беспримесного полупроводника при различных температурах.| Принцип дырочной проводимости. [8] |
Скорость генерации носителей Уген ( как и скорость рекомбинации Урек) определяется свойствами полупроводника и его температурой. Скорость реком-бинации, кроме того, пропорциональна концентрации электронов и дырок, так как чем больше количество носителей, тем вероятнее, что их встреча завершится рекомбинацией. [9]
 |
Уровень Ферми для полупроводников, содержащих только равновесные носители заряда ( а, и квазиуровни Ферми для полупроводников, содержащих избыточные электроны и дырки ( б. [10] |
Процесс генерации носителей характеризуют скоростью генерации g, выражающей число носителей ( или число пар носителей), ежесекундно возбуждаемых в единице объема полупроводника. [11]
Ток генерации носителей в базе / в ген можно определить так же, как обратный ток полупроводникового диода. [12]
 |
Вольтампер-ная характеристика идеального электронно-дырочного перехода. [13] |
Рассмотрим влияние генерации носителей в запорном слое / 7-п-перехода на обратную ветвь вольтамперной характеристики. Генерация электронно-дырочных пар может осуществляться не только за счет непосредственного переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости, но и через промежуточные уровни, лежащие в запрещенной зоне. Такие уровни называют центрами захвата или ловушками. Очевидно, что процесс генерации с помощью ловушек более вероятен, чем генерация носителей из валентной зоны в зону проводимости. Будем считать, что при обратном смещении концентрация свободных электронов в запорном слое мала, В таком случае заполнение ловушек электронами зоны проводимости прекратится. [14]
Почему скорость генерации носителей в переходе может отличаться от скорости рекомбинации. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5