Генерация - носитель
Cтраница 4
В самом деле, акты генерации носителей, число которых определяет ток Ig, протекают в объеме si запирающего слоя, где при Т & 300 К все примесные атомы ионизированы и скорость генерации носителей обоих знаков определяется временем жизни как электронов, так и дырок. [46]
Важное экспериментальное подтверждение СТ-экситонных механизмов генерации носителей дала работа по спектроскопии модулированного электрическим полем поглощения пентацена ( см. разд. Аналогичные исследования были выполнены на антрацене [230], хотя в этом случае детектировать СТ-состояния оказалось труднее. Используя кулоновское уравнение, авторы [230] связали энергии пиков, которые они отнесли к спектрам электроабсорбции СТ-экситонов, с размерами этих экситонов. Авторы [230] оправдывают данное расхождение, считая, что СТ-переходы, с которыми они имеют дело, являются вертикальными ( франк-кондоновскими) переходами из френкелевского основного состояния в колебательно-возбужденное СТ-состояние. Более того, в противоположность основному предположению теории Зибранда и др. они постулировали, что колебательная энергия любого СТ-состояния может использоваться для разделения электронно-дырочной пары. Этот постулат в некотором смысле объединяет процессы прямой генерации СТ-экситонов с механизмом баллистического разделения зарядов, который подразумевался при описании процесса автоионизации. [47]
 |
Влияние внешнего поля на спектральное распределение дырочного фототока в монокристаллах пирена. [48] |
Исходя из тех представлений, что генерация носителей фототока в органических полупроводниках идет через стадию экситонов, а стационарное значение фототока определяется условиями рекомбинации носителей, Авдеенко, Набойкин и Шеина [59] выдвинули положение о том, что вид спектра фотопроводимости должен зависеть от величины внешнего поля, приложенного к полупроводнику, поскольку поле, разделяя заряды, изменяет условия рекомбинации носителей. [49]
Подобные доводы справедливы и для процесса генерации носителей, так как было бы странно. [50]
В каких случаях следует учитывать процесс генерации носителей в р-п-пере-ходе при исследовании вольт-амперных характеристик диодов. [51]
Это указывает на большую роль процессов генерации носителей в р - га-переходе даже для сравнительно тонких переходов, особенно при высокой концентрации носителей в р - и в-областях. [52]
Это указывает на большую роль процессов генерации носителей в р - n - переходе даже для сравнительно тонких р - n - переходов, особенно при высокой концентрации носителей в р - и п-областях. [53]
Обозначим через Лп и Др скорости генерации носителей ( электронов и дырок) светом. Очевидно, они должны быть пропорциональны световой энергии, поглощаемой в единице объема полупроводника за единицу времени. [54]
В темноте стирание происходит в результате тепловой генерации носителей и фигурирующая в (2.6) проводимость равна темновой проводимости ат. [55]
Коэффициенты Cng и Cpg - вероятности генерации соответствующих носителей при условии, что зона проводимости пуста, а валентная зона заполнена. Значения Cng и Cpg близки друг к другу. [56]
Коэффициенты Cng и Cpg - вероятности генерации соответствующих носителей при условии, что зона проводимости пуста, а валентная зона заполнена. Cng и Cpg близки друг к другу. [57]
Оценка влияния высоких интенсивностей света на генерацию носителей в кристаллах, как это можно видеть из уравнения (3.1.3.03), включает в себя и изучение взаимодействий экситонов с фотонами. В антрацене синглетные экситоны имеют энергию 3 15 эВ при времени жизни в толстых кристаллах порядка 25 не. Так как ширина запрещенной зоны в этих кристаллах около 4 эВ, возбуждение экситона дополнительными фотонами с энергией 0 85 эВ на уровни, превышающие 4 эВ, с энергетической точки зрения может приводить к образованию автоионизационных молекулярных состояний. В принципе это можно сделать, но из-за малых времен жизни синглетных экситонов их концентрации невелики и необходимо использовать большие интенсивности света. [58]
Рассмотрим теперь количественные закономерности процессов рекомбинации и генерации носителей. Сначала для простоты будем предполагать непосредственную рекомбинацию, а позднее учтем практически более важный ловушечный механизм. [59]
Обратный ток такого перехода очень велик из-за генерации носителей в инверсном слое. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5