Генерация - носитель
Cтраница 3
Величина первичного квантового выхода генерации носителей г ] определяется как число свободных электронов и дырок, образующихся при поглощении одного кванта света. В большинстве органических твердых тел квантовый выход т очень мал, поскольку существует много других способов релаксации возбужденного состояния. [31]
SE - результирующая скорость генерации носителей, вызванная внешними воздействиями; in, 1р - плотности электронного и дырочного токов. [32]
В каких случаях процесс генерации носителей в р-п-переходе влияет на ВАХ диода. [33]
 |
Генерация ( а и рекомбинация ( б носителей заряда в р-гс-переходе. [34] |
Именно поэтому про цесс генерации носителей в переходе не уравновешивается процессом ре комбинации. Следует, однако, помнить, что ток насыщения, связанный с экстракцией неосновных носителей заряда и рассмотренный в § 3.2 и 3.4, также вызван генерацией не основных носителей заряда, но генерацией в прилегающих к переходу областях. [35]
В пользу эксиплексного механизма генерации носителей светом говорят и результаты, полученные при добавлении к ПВК диметилтерефталата ( ДМТФ), структурная формула которого показана на рис. 6.5.38. ДМТФ представляет собой слабый акцептор электронов и не реагирует с невозбужденными молекулами ПВК. Значительный сдвиг спектра флуоресценции по сравнению с чистым ПВК свидетельствует об образовании эксиплексов при освещении. [37]
В этих областях скорость тепловой генерации носителей, не зависящая от п и р, превышает скорость их рекомбинации. Концентрации носителей здесь не накапливаются, поскольку носители, появляющиеся в результате генерации, уносятся из ООЗ сильным электрическим полем. Дырки перемещаются к контакту - области, а электроны - л-области. [38]
 |
Схема процессов генерации и рекомбинации в области объемного. [39] |
Плотность тока, обусловленного генерацией носителей в области электронно-дырочного перехода, может быть легко рассчитана, если учесть, что каждой образующейся паре соответствует прохождение одного электрона во внешней цепи. [40]
Темновой ток, создаваемый объемной тепловой генерацией носителей, можно снижать выбором материала с большим объемным временем жизни. Снижение тока поверхностных утечек достигается пассивацией поверхности. [41]
 |
Влияние поверхностных состояний на обратную ветвь вольт-амперной характеристики диода. [42] |
На обратные токи полупроводникового диода генерация носителей на поверхности оказывает такое же влияние, как и генерация носителей в объеме. [43]
 |
Зависимость фотопроводимости германия с примесями Mn, Ni, Со и Fe от энергии фотонов AV. [44] |
В случае примесного поглощения интенсивность генерации носителей fikJ изменяется нелинейно с изменением интенсивности света, так как коэффициент поглощения света k в примесной области поглощения не остается постоянным ( k зависит от /), а уменьшается с увеличением интенсивности света из-за заметного опустошения примесных центров. Поэтому люксамперная характеристика в области примесной фотопроводимости будет линейна лишь при малых интенсивностях света, и будет достигать насыщения для больших интенсивностей света при полном опустошении примесных центров. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5