Генерация - носитель
Cтраница 5
Рассмотрим теперь количественные закономерности процессов рекомбинации и генерации носителей, причем сначала для простоты будем предполагать непосредственную рекомбинацию, а в последних трех разделах учтем практически более важный ловушечныи механизм. [61]
 |
Схема термоэлектронной ионизации до-норного атома.| Схемы ударной ( Л 2 и электростати ческой ( 3, 4 ионизации в полупроводниках.| Схемы рекомбинации носителей заряда в полупроводниках. [62] |
В условиях термодинамического равновесия действует лишь механизм тепловой генерации носителей, полностью уравновешенный процессами рекомбинации. Различают следующие механизмы рекомбинации носителей. [63]
Второй важный источник шума в ПТ заключается в генерации носителей через центры, локализованные в области пространственного заряда переходов канал - затвор. Обычно при работе ПТ в нормальных условиях эти переходы находятся при обратном смещении, и ХШР-центр в обедненной области генерирует поочередно дырку и электрон, которые сразу же удаляются из этой области сильным электрическим полем. В кремниевых ПТ при комнатной температуре эти генерируемые носители составляют основную часть тока утечки затвора. Поэтому в токе затвора имеется составляющая дробового шума, которая на низких частотах доминирует по сравнению с тепловой составляющей шума. [64]
Таким образом, с помощью ловушек происходит и генерация носителей. [65]
Выдвинутые ими юории электрического пробоя основаны либо НУ генерации носителей, либо на передаче носителями избыточной энергии фононам. Было предложено много критериев применительно к расчету критического поля, при котором начинается ускорение электронов ао скоростей, ионизирующих атомы, и его зависимости от температуры и толщины диэлектрика. Эти два типа пробоя диэлектрика и будут рассмотрены далее. [66]
Страницы: 1 2 3 4 5