Генерация - носитель - заряд
Cтраница 1
 |
Энергетическая диаграмма / э-п-гетероперехода. [1] |
Генерация носителей заряда является следствием воздействия внешних факторов, например, нагрева, освещения, облучения. Рекомбинация - процесс, противоположный генерации, и она противодействует накоплению носителей и обеспечивает их равновесные концентрации. [2]
Генерация носителей заряда приводит к тому, что электроны могут перемещаться в зоне проводимости, переходя на ближайшие свободные энергетические уровни, а дырки - в валентной зоне. Это эквивалентно перемещению положительных зарядов, равных по абсолютной величине зарядам электронов. [3]
Генерация носителей заряда в полупроводнике, создающая избыточную концентрацию их, может быть вызвана не только светом, ко и другими причинами. [5]
Например, генерация носителей заряда у поверхности увеличивает обратные токи p - n - переходов. [6]
Для создания однородной генерации носителей заряда во всем объеме образца используют оптические фильтры, с помощью которых выделяют узкий интервал длин волн, приход зщийся на край собственного поглощения, где коэффициент поглощения невелик. Самым подходящим для этого является фильтр из того же полупроводникового материала, что и исследуемый образец. При этом толщина фильтра должна быть больше толщины of разца. [7]
 |
Появление э. д. с. в полупроводнике. [8] |
Неравномерная по глубине генерация носителей заряда приводит к диффузии их в глубь полупроводника. Из-за разницы для электронов и дырок коэффициентов диффузии происходит пространственное разделение носителей заряда. Электроны, имеющие большую подвижность, уходят в глубь полупроводника в большей мере, чем дырки. Освещенная поверхность заряжается положительно, не освещенная - отрицательно. Вдоль луча света возникает электрическое поле. [9]
Одновременно с процессом генерации носителей зарядов протекает процесс их рекомбинации - встречи электронов с дырками, сопровождающийся возвратом электрона из зоны проводимости в валентную зону и исчезновением свободных зарядов. Чаще всего рекомбинация происходит на дефектах кристаллической решетки ( нарушения кристаллической структуры, случайные примеси, трещины, дефекты в поверхностных слоях); эти дефекты служат центрами рекомбинации. [10]
Спектры квантового выхода генерации носителей заряда заметно отличаются от спектров поглощения PTS. Отношение максимального фототока к темиовому току составляет при 300 К около 300 и превышает 600 при 120 К-Заметное количество носителей заряда образуется и за пределами полосы оптического поглощения, достигая максимума при 760 нм. [11]
Если известны скорости генерации носителей заряда Gn, Gp, то из уравнений (80.5), (80.6) можно найти концентрацию носителей заряда и тем самым световую проводимость асв. [12]
 |
Коэффициент поглощения германия р-типа ( сплошная кривая и относительный фотоответ германия р-типа, легированного индием, при температуре 5 К. [13] |
Примесное поглощение приводит к генерации носителей заряда одного типа. [14]
От чего зависит скорость генерации носителей заряда. [15]
Страницы: 1 2 3 4