Cтраница 4
Верхний предел диапазона рабочих температур выпрямительных диодов определяется резким ухудшением выпрямления в связи с ростом обратного тока - сказывается тепловая генерация носителей заряда в результате ионизации атомов полупроводника. Таким образом, верхний предел диапазона рабочих температур выпрямительных кремниевых диодов, как и большинства других полупроводниковых приборов, связан с шириной запрещенной зоны исходного полупроводникового материала. [46]
При обратном напряжении на р-п переходе ОПЗ обеднена носителями заряда и равновесие между процессами генерации и рекомбинации нарушено в пользу генерации носителей заряда. Генерация носителей заряда происходит через ловушки, имеющие энергетические уровни вблизи середины запрещенной зоны. Допустим, что тепловое возбуждение привело к забросу электрона из валентной зоны на уровень ловушки, при этом дырка, возникшая в валентной зоне, перенесется электрическим полем ОПЗ в р-об-ласть. Электрон, локализованный на ловушке, вернуться в валентную зону не может, так как там нет дырок, с которыми он может рекомбинировать. Поэтому электрон за счет теплового возбуждения может перейти только в зону проводимости. Электрон, появившийся в зоне проводимости, перенесется против направления электрического поля в - область. [47]
По характеру воздействия светового потока на фотоэлектронный прибор различают фотоэлектронные приборы с внутренним фотоэффектом, у которых под действием фотонов происходит генерация носителей зарядов - электронов и дырок, и фотоэлектронные приборы с внешним фотоэффектом, у которых под действием фотонов происходит фотоэлектронная эмиссия. [48]
При обратном смещении коллекторного перехода, особенно для кремниевых транзисторов, наряду с током насыщения коллектора / ко должен быть учтен ток тепловой генерации носителей заряда в ОПЗ коллектора / GK и в общем случае ток утечки по поверхности коллекторного перехода / утК С / к / / - утк, где гутк - сопротивление утечки коллектора. [49]