Генерация - носитель - заряд
Cтраница 3
В это выражение не входят величины, характеризующие скорость генерации носителей заряда. Кроме того, оно не зависит от скорости поверхностной рекомбинации. С экспериментальной точки зрения это удобно, так как не требуется проводить измерений абсолютной интенсивности света, не нужно знать коэффициент квантового выхода; это выражение можно использовать при любом качестве травления поверхности образца. [31]
Значит, составляющая тока коллектора, связанная с тепловой, генерацией носителей заряда, зависит от тока носителей, пришедших от эмиттера. Чтобы такое влияние было существенным, концентрации неосновных и основных носителей в коллекторе должны отличаться не очень сильно. Такие условия создаются при повышенной температуре в германиевых транзисторах, изготовленных методом диффузии. [32]
Эффективность преобразования мощности молекулярными солнечными элементами ограничивается и зависимостью квантового выхода генерации носителей заряда от электрического поля. Это ограничение несомненно связано с очень низкой общей проводимостью молекулярных полупроводников и ограничениями, которые налагаются пространственным зарядом. Такие трудности можно частично преодолеть, подбирая подходящие легирующие вещества, которые могут увеличивать толщину слоя пространственного заряда в органическом материале и благоприятствовать перемещению носителей заряда. Преимущества органических полупроводников при использовании их для создания эффективных молекулярных солнечных элементов оправдывают усилия, которые нужны для их разработки. [33]
При понижении температуры происходит уменьшение обратного тока через переход вследствие уменьшения генерации носителей заряда внутри инверсного слоя и при низких температурах-70 - 80 С - в связи с исчезновением инверсионного слоя. [34]
Так как множители рпо / тр и лро / т характеризуют генерацию носителей заряда в п - и р-областях соответственно, то из (2.44) видно, что обратный ток обусловлен тепловой генерацией неосновных носителей в слоях толщиной Lp и Ln, прилегающих к р-л-переходу, и последующей диффузией этих носителей в области потенциального барьера. [35]
Ток в обратном направлении возрастает с увеличением напряжения ( за счет создаваемой им генерации носителей заряда) до тех пор, пока при некотором достаточно большом напряжении не произойдет пробоя. Как видно из вольт-амперной характеристики, изображенной на фиг. [36]
Хаушильд и др. [60] показали также, что аннигиляция экситонов не приводит к генерации носителей заряда, которая, как и рекомбинация носителей, является процессом первого порядка. [37]
Дефекты, возникающие на границе раздела двух полупроводников, создают условия для рекомбинации и генерации носителей заряда в гетеропереходе - рекомбинационные ловушки. В результате механизмы прохождения тока через реальный и идеальный гетеропереходы могут отличаться, что не даст возможности использовать специфические свойства гетероперехода. [38]
 |
Временные зависимости тока базы ( а и тока коллектора ( б при работе транзистора в качестве ключа по схеме с общим эмиттером. [39] |
Во-вторых, у них будет больше обратный ток коллектора и эмит 4 тера из-за более интенсивной тепловой генерации носителей заряда в коллекторном и эмиттерном p - n - переходах, а также в прилегающих к этим переходам областях. [40]
Найдем выражение для тока короткого замыкания и ЭДС при фотомагнитоэлектрическом эффекте в условиях, когда генерация носителей заряда происходит вблизи освещенной поверхности. [41]
Кроме уже рассмотренной классификации электропроводности по типу носителей заряда, следует разграничить также разные механизмы генерации носителей заряда в диэлектриках. Равновесные носители заряда образуются только в случае термической генерации. При процессах инжекции электронов или дырок с металлических электродов, а также при фотогенерации и при различных облучениях появляющиеся носители неравновесны. Ударная ионизация возникает в сильных электрических полях и также приводит к генерации неравновесных носителей. При нарастании концентрации носителей заряда удар-ая ионизация может вызвать электрический лробой. [42]
Если на обоих переходах транзистора напряжение обратное, то через них проходят токи, обусловленные процессами тепловой генерации носителей заряда в объеме полупроводника, областях объемного заряда и на невыпрямляющих контактах, а также утечками. При достаточно больших напряжениях происходит лавинное умножение. [43]
Первый и последний члены в этих уравнениях, как уже было сказано, характеризуют скорости рекомбинации и генерации носителей зарядов, второй член - их диффузионное движение, а третий и четвертый - дрейфовое движение частиц. [44]
Таким образом, описанный механизм работы ЛпД основывается на двух явлениях: ударной лавинной ионизации, приводящей к генерации носителей заряда, и дрейфе последних через пролетную область за определенное время для получения необходимого фазового соотношения между током и напряжением. Данный режим работы ЛПД называется IMPATT или сокращенно IM. ЛПД в IM режиме генерирует колебания в диапазоне частот от 1 до 340 ГГц, но чаще они используются в диапазоне от 5 до 100 ГГц. Материалом для ЛПД служит кремний или арсенид галлия. [45]
Страницы: 1 2 3 4