Генерация - носитель - заряд
Cтраница 2
Как отмечалось, кроме тепловой генерации носителей заряда в полупроводнике существует и их рекомбинация, и эти процессы при любой температуре взаимно уравновешены. [16]
 |
Искажение границ р-л-перехода под влиянием поверхностного. [17] |
На обратные токи полупроводникового диода генерация носителей заряда на поверхности оказывает такое же влияние, как и генерация носителей в объеме. Однако обратные токи диода зависят от скорости поверхностной генерации, а скорость поверхностной генерации может изменяться со временем из-за изменения поверхностного заряда. [18]
Вдали от р - л-перехода генерация носителей заряда под действием света приводит к повышению проводимости, но не нарушает равновесного состояния п - и р-областей полупроводника. Генерация носителей зарядов в области /; - л-перехода приводит к нарушению равновесного состояния, так как в электрическом поле р - / г-перехода электроны дрейфуют в - область, а дырки в р-область. [19]
На обратные токи полупроводникового диода генерация носителей заряда на поверхности оказывает такое же влияние, как и генерация носителей в объеме. Однако обратные токи диода зависят от скорости поверхностной генерации, а скорость поверхностной генерации может изменяться со временем из-за изменения поверхностного заряда. [20]
Таким образом, экспериментально скорость генерации носителей заряда во времени в обедненном слое onpeflej яется углом наклона зависимости (5.26) в каждой точке t и не зависит от конкретных механизмов генерации. [21]
Как уже отмечалось, кроме тепловой генерации носителей заряда в полупроводнике существует и их рекомбинация, и эти процессы при любой температуре взаимно уравновешены. [22]
Образование свободных электронов и дырок - генерация носителей заряда - происходит при воздействии теплового хаотического движения атомов кристаллической решетки ( тепловая генерация), при воздействии поглощенных полупроводником квантов света ( световая генерация) и других энергетических факторов. Так как полупроводник всегда находится под действием всех этих факторов или хотя бы одного ( Т ф 0), генерация носителей происходит непрерывно. [23]
Образование свободных электронов и дырок - генерация носителей заряда - происходит при воздействии теплового хаотического движения атомов кристаллической решетки ( тепловая генерация), при воздействии поглощенных полупроводником квантов света ( световая генерация) и других энергетических факторов. Так как полупроводник всегда находится под действием всех этих факторов или хотя бы одного ( 7 Ф 0), генерация носителей происходит непрерывно. [24]
Возникновение ямок может быть связано с генерацией носителей заряда в сильных полях. [25]
Значительно сложнее проанализировать спад фотопроводимости, когда генерация носителей заряда происходит в течение некоторого времени, так как начальное распределение носителей заряда не является однородным. Если же генерация происходит с постоянной скоростью в течение длительного времени, то в образце устанавливается стационарное распределение носителей заряда и задача упрощается. [26]
В предыдущем анализе фотопроводимости, где предполагалась однородная генерация носителей заряда по всему объему образца, не была учтена рекомбинация носителей заряда на поверхности, которая приводит к относительному уменьшению концентрации неравновесных носителей заряда вблизи поверхности. [27]
По мере накопления зарядового пакета за счет тепловой генерации носителей заряда толщина обедненного слоя Lo6 и поверхностный потенциал полупроводника фпов уменьшаются, а разность потенциалов на диэлектрике увеличивается. В установившемся режиме ( / - - оо) поверхностный потенциал уменьшается до значения ФПОР 2фт1п ( УУа / / г), где Na - концентрация акцепторов в подложке; n - f - концентрация собственных носителей. [28]
Значит, составляющая тока коллектора, связанная с тепловой генерацией носителей заряда, зависит от тока носителей, пришедших от эмиттера. Чтобы такое влияние было существенным, концентрации неосновных и основных носителей в коллекторе должны отличаться не очень сильно. Такие условия создаются при повышенной температуре в германиевых транзисторах, изготовленных методом диффузии. [29]
Для ряда относительно простых теорий, в которых обсуждается генерация носителей заряда и процессы их захвата в органических кристаллах, необходимо знание величин поляризационных энергий дырок и электронов ( см. разд. Карл и др. [126] недавно показали, что эти поляризационные энергии можно оценить по данным ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии. [30]
Страницы: 1 2 3 4