Cтраница 1
Генерация электронно-дырочных пар теплом вносит заметные изменения лишь в полупроводник с сопротивлением, близким к собственному. [1]
Генерация электронно-дырочных пар происходит в узком слое умножения у р - л-перехода, где согласно рис. 5.2 а напряженность поля максимальна. Генерируемые дырки сразу попадают в р - область и никакой полезной работы не совершают. Генерируемые электроны инжектируются в пролетное пространство толщиной W с почти однородным полем. [2]
Если генерация электронно-дырочных пар будет происходить на удалении от р-п перехода, значительно большем, чем диффузионная длина, то носители успеют рекомбинировать, не дойдя до р-п перехода, и заметного увеличения тока в фотодиоде не произойдет. [3]
Процесс генерации электронно-дырочных пар смещает фотодиод в прямом направлении и вызывает протекание обратного тока. [4]
Ток генерации электронно-дырочных пар / о, обусловленный неосновными носителями заряда, представляет собой темновой ток при данном напряжении смещения. Участок ОБ соответствует току короткого замыкания, О А - напряжению холостого хода. [5]
Параллельно с генерацией электронно-дырочных пар за счет термического возбуждения в полупроводнике происходит рекомбинация электронов и дырок. Электроны проводимости, встречая пустые места в валентной зоне - дырки, заполняют их. Одновременное действие этих процессов приводит к установлению в полупроводнике равновесия, характеризующегося равновесной концентрацией зарядоноси-телей. [6]
Оказывается, что генерация электронно-дырочных пар может осуществляться не только за счет непосредственного переброса электрона из валентной зоны в зону проводимости, но и поэтапно: вначале электрон из валентной зоны переходит на некоторый промежуточный уровень, находящийся внутри запрещенной зоны, а затем уже с этого уровня переходит в зону проводимости. [7]
Что называется процессом генерации электронно-дырочных пар. [8]
Мы не рассматривали генерацию электронно-дырочных пар внутри области объемного заряда, предполагая, таким образом, что сам переход не имеет физического объема и представляет некоторую плоскость раздела между электронной и дырочной областями. [9]
При освещении прибора происходит генерация электронно-дырочных пар. Можно считать, что в увеличении тока принимают участие все фотовозбужденные носители, за исключением тех, которые рекомбини-руют у поверхности. [10]
Переключение светом производится благодаря генерации электронно-дырочных пар из-за поглощения фотонов световой энергии при освещении эмиттерного перехода и ближайшей к нему базовой области. Этот способ является самостоятельным либо дополняет переключение управляющим электродом. Переключение светом применяют в тех случаях, когда требуется реакция на световой сигнал или создание электрической изоляции между цепью управления и силовой цепью. [11]
При повышении температуры возрастает генерация электронно-дырочных пар и концентрация неосновных носителей повышается, что приводит к увеличению обратного тока. Однако поскольку ширина запрещенной зоны кремния больше, чем у германия, генерация неосновных носителей в нем будет идти значительно слабее и величина обратного тока кремниевых диодов может в тысячи раз быть меньше, чем у германиевых. Поэтому кремниевые приборы могут работать при более высоких температурах. [12]
Второй способ умножения основан на генерации электронно-дырочных пар в полупроводнике при бомбардировке его электронами. Полупроводниковые умножители электронных потоков представляют собой обратно смещенные диоды с коэффициентом умножения до 104, отличаются малыми габаритами, простотой конструкции и высокой надежностью. [13]
При освещении полупроводника в нем происходит генерация электронно-дырочных пар, вследствие чего его проводимость возрастает на величину Aaq ( iinAn [ ipAp), называемую фотопроводимостью. [14]
Кроме того, в вырожденных полупроводниках генерация электронно-дырочных пар теплом происходит слабее, чем в невырожденных, так как нижние уровни зоны проводимости вырожденного полупроводника заселены сильнее, а доля тепловых электронов по сравнению с примесными незначительна. [15]