Генерация - электронно-дырочный пары
Cтраница 2
При освещении полупроводника в нем происходит генерация электронно-дырочных пар за счет переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости. [16]
Мй - скорость ( постоянная) генерации электронно-дырочных пар. [17]
Отсюда следует, что при наличии генерации электронно-дырочных пар в обедненном слое обратный ток увеличивается пропорционально ширине обедненного слоя. [18]
При оптическом вводе информации используется эффект генерации электронно-дырочных пар в полупроводнике под действием излучения. [19]
Процесс образования избыточных носителей называют процессом генерации электронно-дырочных пар. Если генерация пар происходит в полупроводнике n - типа, то относительное приращение концентрации электронов в зоне проводимости Ап / п0 будет невелико, а приращение концентрации дырок в валентной зоне Ар / р0, наоборот, будет значительным. [20]
Темновой ток ПЗС, связанный с тепловой генерацией электронно-дырочных пар, пропорционален времени накопления заряда, площади элемента, зависит от температуры преобразователя и скорости термической генерации носителей заряда, создаваемых рехомбинацнонно-генерационными центрами поверхности и объема полупроводниковой подложки. [21]
Считается, что электроны, образованные при генерации электронно-дырочных пар, играют такую же роль, что и электроны в поликристаллическом Si п - типа, а именно форсируют образование SiCU. [22]
При освещении поверхности полупроводника р-типа в нем происходит генерация электронно-дырочных пар и неравновесные носители заряда диффундируют в глубь полупроводника р-типа к p - n - переходу. Для основных носителей заряда, дырок р - - переход представляет собой потенциальный барьер, поэтому большая часть дырок остается в р-области полупроводника. [24]
Другим способом ввода заряда в МДП конденсатор является лавинная генерация электронно-дырочных пар при приложении короткого обедняющего импульса напряжения большой величины. Полученные таким образом электроны и дырки разделяются полем затвора по следующему механизму. Основные носители остаются в объеме полупроводника, неосновные под действием поля дрейфуют к поверхности и там накапливаются, образуя тонкий инверсионный канал. Такой режим называется режимом хранения информации. [25]
 |
Параметры, характеризующие.| Спектральные зависимости квантового выхода фотокатодов с отрицательным электронным сродством на основе полупроводников AII. BV. [26] |
При возбуждении полупроводника в нем одновременно с процессом генерации электронно-дырочных пар протекает обратный процесс - рекомбинация носителей заряда. При обычных условиях преобладают спонтанные переходы, определяющие спонтанную некогерентную люминесценцию. Помимо спонтанных переходов возможны вынужденные переходы - электрон может перейти в валентную зону, если его подтолкнет фотон с энергией, достаточно близкой к разности энергий электрона и дырки. С вынужденными переходами связана вынужденная когерентная люминесценция. [27]
При возбуждении полупроводника в нем одновременно с процессом генерации электронно-дырочных пар протекает обратный процесс - рекомбинация носителей заряда. Если электроны зоны проводимости совершают самопроизвольные излучательные переходы в валентную зону, наблюдается спонтанное излучение, проявляющееся в виде люминесценции. Вследствие случайного характера переходов спонтанное излучение некогерентно и немоно-хроматично. Помимо спонтанных переходов, возможны вынужденные переходы - электрон может перейти в валентную зону не самопроизвольно, а вынужденно, если его подтолкнет фотон с энергией / iv, достаточно близкой к разности энергий электрона и дырки. Поскольку испускаемая вторичная электромагнитная волна тождественна с волной, вызвавшей переход, вынужденное излучение монохрома-тично и когерентно. [28]
Причиной такого пробоя может быть как термическая, так и электрическая генерация электронно-дырочных пар, приводящая к резкому снижению сопротивления полупроводника. Чем выше проводимость применяемых полупроводников, тем, очевидно, меньше ширина электронно-дырочного перехода. [29]
 |
График зависимости коэффициента уси ления кремниевого дир-да от плотности тока электронного луча. / - теоретическая кривая при 8кр 2 мА / см2. 2 - при Uy 16 кВ, U 30 В, р 10 000 Ом-си. [30] |
Страницы: 1 2 3 4