Генерация - электронно-дырочный пары
Cтраница 3
При торможении электрона в полупроводнике энергия расходуется в основном на генерацию электронно-дырочных пар и на возбуждение колебаний кристаллической решетки. [31]
Собственное поглощение возможно при условии ftv ДЗ и связано с генерацией электронно-дырочных пар при воздействии излучения. Форма края основной полосы поглощения соединений А В зависит от механизма переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости и определяется структурой энергетических зон полупроводника. Если экстремумы валентной зоны и зоны проводимости соответствуют одному значению волнового вектора, осуществляются прямые межзонные переходы без изменения импульса электрона. В том случае, когда экстремумы не совпадают в й-пространстве, основную роль играют непрямые межзонные переходы, связанные с изменением импульса электрона в результате его взаимодействия с решеткой. [32]
Катодоотражение - методика с использованием бомбардировки быстрыми электронами с целью модуляции избыточной генерации электронно-дырочных пар аналогично методике фотоотражения. Однако генерация пар электронным пучком вызывает локальный разогрев, что искажает полученную информацию. Методика имеет преимущество перед фотоотражением при исследовании полупроводников с широкой запрещенной зоной, когда оптическая генерация затруднена. [33]
 |
Структура диода Рида.| Эквивалентная схема ЛПД. [34] |
Таким образом, два явления - ударная лавинная ионизация, сопровождающаяся генерацией электронно-дырочных пар, и наличие пролетного участка, соответствующим образом сдвигающего по фазе импульс тока, приводят к генерации СВЧ колебании в ШРАТТ-режиме и получению отрицательной проводимости в ЛПД. Пр и Хар - эквивалентные параметры, характеризующие генераторные свойства ЛПД; ЯПр - величина отрицательная при шшг и 062я, при этом Хар носит индуктивный характер; Ra - сопротивление растеканию диода; Саар - зарядная емкость диода; Ln и Сп - параметры патрона, в который вставляется диод. [35]
Оно зависит от объемной составляющей обратного тока, поверхностной его составляющей и генерации электронно-дырочных пар в области объемного заряда перехода. В реальных варикапах решающую роль играет поверхностная составляющая обратного тока, определяемая током утечки, поверхностной рекомбинацией и генерацией электронно-дырочных пар у выхода перехода на поверхность. [36]
При освещении р - - перехода про - р - - переходе исходит генерация электронно-дырочных пар. Если излучение поглощается в р-области ( рис. 2.14), то электронно-дырочные пары, находящиеся на расстоянии, меньшем длины диффузионного смещения от р - - перехода, смогут достигнуть его. Потенциальный барьер р - - перехода способствует переходу электронов. Соответственно, если излучение поглощается в - области, то через р - переход могут пройти только дырки. Если же излучение поглощается в области объемного заряда, то электроны переносятся электрическим полем р - - перехода в - область, а дырки в р-об-ласть. Таким образом, электрическое поле р - - - перехода разделяет избыточные носители тока. Поскольку из обеих областей через р - - переход уходят только неосновные носители, то можно считать, что генерируемые светом носители заряда увеличивают обратный ток р - - перехода, так как именно он образуется за счет неосновных носителей. [37]
 |
Процессы рассеяния с участием возбужденной дырки. а - электрон-электронное рассеяние. б - оже-рассеяние. [38] |
Эта величина соизмерима с удвоенной шириной энергетической шели 2Eg8 эВ, являющейся порогом генерации электронно-дырочных пар. Поскольку в органических твердых телах полициклических ароматических углеводородов доминируют экситонные явления, рассеяние на экситонах будет давать больший вклад в рассеяние электронов, чем генерация электронно-дырочных пар. Поэтому не является неожиданным тот факт, что кривые РЭЭ таких органических веществ содержат большое количество неупруго рассеянных электронов, концентрирующихся вблизи порога фотоэмиссии. Однако роль автоионизации ( см. разд. Необходимо отметить, что помимо электрон-электронных процессов электроны могут терять свою избыточную энергию, рассеиваясь на фононных модах кристалла. [39]
В случае электронного германия на поверхности трещины образуется инверсный слой с высокой проводимостью и большой величиной скорости генерации электронно-дырочных пар. Этим и объясняется шунтирование р-п перехода поверхностью трещины. При низких температурах инверсный слой исчезает и шунтирующее действие прекращается. [40]
 |
Зонная схема образования и перемещения свободного электрона и дырки. [41] |
Процесс разрыва ковалентной связи под действием, например, тепла или света, связанный с образованием свободного электрона и дырки, называют генерацией электронно-дырочных пар. Если же дырку заполняет свободный электрон, исчезают свободный электрон и дырка. Такой процесс называют рекомбинацией электрона с дыркой, или просто рекомбинацией. [42]
В частности, широкое распространение получил метод Цербста, в котором импульсное смещение переводит ОПЗ в область инверсионных потенциалов, а наблюдаемая релаксация емкости определяется тепловой генерацией электронно-дырочных пар. Однако сложность обработки экспериментальных данных ( включая графическое дифференцирование релаксационных кривых) делает его весьма громоздким, а в ряде случаев и недостаточно точным. [43]
Для объяснения принципа работы пленочного элемента на основе CdTe в работе [8] была предложена модель р-гс-гетеропере-хода, показанная на рис. 10.7. В этой модели основное поглощение и генерация электронно-дырочных пар происходят в слое CdTe. Причем существенно, чтобы часть слоя, примыкающая к Cu2S, была компенсирована. [44]
 |
Вольтампер-ная характеристика идеального электронно-дырочного перехода. [45] |
Страницы: 1 2 3 4