Генерация - электронно-дырочный пары
Cтраница 4
Рассмотрим влияние генерации носителей в запорном слое / 7-п-перехода на обратную ветвь вольтамперной характеристики. Генерация электронно-дырочных пар может осуществляться не только за счет непосредственного переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости, но и через промежуточные уровни, лежащие в запрещенной зоне. Такие уровни называют центрами захвата или ловушками. Очевидно, что процесс генерации с помощью ловушек более вероятен, чем генерация носителей из валентной зоны в зону проводимости. Будем считать, что при обратном смещении концентрация свободных электронов в запорном слое мала, В таком случае заполнение ловушек электронами зоны проводимости прекратится. [46]
При генерации электронно-дырочных пар фотонами с энергией, превышающей ширину запрещенной зоны полупровод-дика, избыточная энергия излучения теряется при переходах внутри зоны за счет соударений носителей с атомами решетки и переходит в тепло. [47]
Радиоактивные излучения, проходя через материал, вызывают ионизацию и возбуждение электронов и приводят к образованию электронно-дырочных пар свободных ионов и электронов в результате разрыва межатомных связей и выбивания электронов с электронных оболочек. Одновременно с процессом генерации электронно-дырочных пар происходит их рекомбинация и при постоянной дозе облучения может наблюдаться равновесное состояние. [48]
Реальный обратный ток значительно превышает тепловой. Причиной этого я ляется генерация электронно-дырочных пар в области обратносмещенного перехода. В равновесном состоянии, когда отсутствует внешнее напряжение, скорости генерации и рекомбинации одинаковы. [49]
 |
Схемы включения диода в фотодиодном ( а и фотовентильном ( б режимах. [50] |
Основным элементом фотодиода ( ФД) является р - я-переход. При освещении его происходит генерация электронно-дырочных пар ( см. гл. Электрическое поле перехода разделяет неравновесные носители заряда. Ток, образованный этими носителями, совпадает по направлению с обратным током р - n - перехода. [51]
 |
Вольт-фарадная характеристика МДП-структуры. [52] |
При превышении t / 3H значения порогового напряжения в МДП-структуре происходит инверсия проводимости приповерхностного слоя: поверхностная концентрация дырок в инверсионном слое растет экспоненциально с напряжением, а поверхностный потенциал увеличивается пропорционально квадрату толщины обедненной области / 0 [ см. ( 4.5 а) ], После того как значение / о достигнет максимальной величины, дальнейшее приращение отрицательного заряда на затворе будет компенсироваться возрастанием концентрации дырок в канале. Появление избыточных дырок обеспечивается достаточно медленной генерацией электронно-дырочных пар в ОПЗ. [53]
Если внешнее напряжение U уве личивает высоту барьера ( на / j - область подан минус. Потоки неосновных носителей определяются скоростью тепловой генерации электронно-дырочных пар, равной в ед. [54]
В заключение заметим, что скорость электролитического травления полупроводника п типа может быть резко повышена при освещении поверхности кристалла. Это объясняется тем, что в данном случае происходит генерация неравновесных электронно-дырочных пар. Увеличение концентрации свободных электронов на поверхности кристалла приводит к возрастанию обратного тока через р - п переход. [55]
Это значит, что в обратно смещенном переходе рекомбинационные процессы прекратятся, а процесс генерации носителей интенсифицируется. Равновесие, таким образом, будет сдвинуто в сторону генерации электронно-дырочных пар. [56]
 |
Конструкция кремниевого диода. [57] |
Работоспособность кремниевых диодов сохраняется при температурах до 125 - 150 С, а селеновых лишь до 70 - 85 С. Это обусловлено тем, что при температурах выше 85 С тепловая генерация электронно-дырочных пар становится столь значительной, что происходит резкое увеличение обратного тока и эффективность работы выпрямителя падает. [58]
На этой длине волны световой поток в 1 лм эквивалентен 0 0016 Вт. Считая, что весь падающий на образец свет полностью расходуется на генерацию электронно-дырочных пар, определить, какой световой поток должен падать на боковую поверхность образца, чтобы уменьшить его сопротивление вдвое. [59]
Электрические характеристики прибора связаны с переходом Cu2S - CdS. Некоторые авторы [7] даже связывают возрастание чувствительности в области 5800А с генерацией электронно-дырочных пар в сульфиде меди. [60]
Страницы: 1 2 3 4