Элементарный германий
Cтраница 2
У стекол системы германий-селен ковалентная составляющая химической связи близка к таковой у элементарного германия и у стеклообразных селенидов мышьяка. Поэтому скорость растворения стеклообразных селенидов германия, как и селенидов мышьяка, определяется гетерогенной химической реакцией на поверхности стекла и не зависит от процесса диффузии. [16]
Цена на двуокись германия на мировом рынке составляет 150 долларов за килограмм, на элементарный германий - 270 долларов. [17]
В книге описаны химические, физико-химические и электрохимические свойства, а также аналитическая химия элементарного германия и его соединений. Приведены краткие сведения о сплавах германия. Описаны главные сырьевые источники и современные методы получения германия из руд, а также методы получения германия полупроводниковой степени чистоты. Рассмотрены основные области применения германия и его соединений. [18]
Диоксид GeO2 может быть получен прокаливанием германия на воздухе, прокаливанием сульфидов, растворением элементарного германия в 3 % - ном пероксиде водорода в платиновом тигле с последующим выпариванием раствора и прокаливанием остатка. При плавлении образуется прозрачный расплав. Диоксид германия растворяется в воде с образованием германиевой кислоты НаОеОз, легко переводится в раствор щелочами с образованием солей германиевой кислоты - гсрманатов. [19]
Физиологические и токсикологические свойства германия изучены, в основном, для препаратов двуокиси и гораздо хуже - элементарного германия. [20]
Соединения двухвалентного германия мало устойчивы, являются сильными восстановителями, легко окисляются на воздухе и склонны к диспро-порционированию на четырехвалентный и элементарный германий. [21]
Технология германия высокой чистоты включает получение GeCl4, его очистку, гидролиз с целью получения GeOa, восстановление двуокиси до элементарного германия и его кристалл офизическую очистку. Сырьем могут быть техническая СеО2, богатые концентраты, а также германиевые отходы - загрязненные концы слитков, обрезки и абразивная пыль, бракованные изделия. [22]
Технология германия высокой чистоты включает получение GeCl4, его очистку, гидролиз с целью лолучения GeO2, восстановление двуокиси до элементарного германия и его кристаллофизическую очистку. Сырьем могут быть техническая GeO2, богатые концентраты, а также германиевые отходы - загрязненные концы слитков, обрезки и абразивная пыль, бракованные изделия. [23]
Например, в той же реакции Н2 - В2 - обмена Кучаев и Боресков [28] не нашли изменения активности катализатора - элементарного германия - при введении в него как донорных, так и акцепторных примесей. При изучении хемосорбции Н2 на ZnO [29] было найдено, что добавление Li20 или Ga203 к ZnO практически не влияет на скорость и энергию активации процесса. Это противоречит приведенному выше механизму Н2 - В2 - обмена, по Хауффе. Близкие результаты были получены [30] при изучении действия добавок Ga203 и А1203 на каталитическую активность ZnO при дегидрировании бутилена до дивинила. [24]
При сопоставлении данных табл. 4 и 5 можно отметить, что алмазоподобные фазы AHIBV с молярным объемом до 13.56 см3, соответствующим элементарному германию, дают в нормальных условиях тетраэдрическую координацию катионов А111 и Ву в их окисных производных - модельных соединениях АШВУ04 с кварце - и кристобалитоподобными структурами. Двуокись германия Ge02 в этом отношении является пограничным соединением, кристаллизующимся одновременно в кварцевой и рути-ловой формах. [25]
Технология германия высокой чистоты для полупроводниковой техники включает получение тетрахлорида германия, очистку тетрахлорида, гидролиз sc целью получения двуокиси германия, восстановление двуокиси до элементарного германия и его кристал-лофизическую очистку. Сырьем для получения высокочистого германия могут быть техническая двуокись германия, богатые германием концентраты, германиевые отходы - загрязненные концы слитков, обрезки и абразивная пыль, бракованные изделия. [26]
Извлечение германия осуществляется преимущественно в виде летучего соединения GeCU, которое после тщательной очистки от посторонних примесей гвдролизуется с образованием двуокиси герма ния высокой чистоты, последняя восстанавливается водородом до элементарного германия. Для повышения степени чистоты германия, в соответствии с требованиями полупроводниковой электроники, его подвергают металлургической очистке методами зонной плавки или направленной кристаллизации с последующим получением в виде монокристаллов. Эти методы основаны на различной растворимости примесей в жидком и твердом германии. Плавление германия осуществляется в атмосфере защитного газа Н2, N2, He, Аг. Для придания германию определенных электрических свойств в расплав чистого германия при вытягивании монокристаллов вводят в незначительном количестве ( Ю-5-10-7 ат. As, Sb, P) или акцепторные ( В, Al, Qa, In) примеси. [27]
Извлечение германия осуществляется преимущественно в виде летучего соединения ОеСЦ, которое после тщательной очистки от посторонних примесей гидролизуется с образованием двуокиси герма ния высокой чистоты, последняя восстанавливается водородом до элементарного германия. Для повышения степени чистоты германия, в соответствии с требованиями полупроводниковой электроники, его подвергают металлургической очистке методами зонной плавки или направленной кристаллизации с последующим получением в виде монокристаллов. Эти методы основаны на различной растворимости примесей в жидком и твердом германии. Плавление германия осуществляется в атмосфере защитного газа Hz, N2, He, Аг. As, Sb, P) или акцепторные ( В, Al, Qa, In) примеси. [28]
Это соединение уносится током водорода, который пропускают через горячую трубку. Образующийся в результате разложения элементарный германий отлагается на стенках трубки. Этот метод редко применяется. [30]
Страницы: 1 2 3 4