Гетеропереход

Cтраница 1

Гетеропереходы в полупроводниковой электро - нике близкого будущего. [1]

Гетеропереходы имеют и другие интересные для полупроводниковых приборов свойства, которые будут рассмотрены в последующих главах. Однако в настоящее время эти свойства полностью не реализованы в связи с технологическими трудностями создания бездефектной границы в гетеропереходе. [2]

Гетеропереход - электронно-дырочный переход, образованный полупроводниками с различной шириной запрещенной зоны; обладает некоторыми свойствами, отличающими его от обычного р - n - перехода и позволяющими улучшать характеристики полупроводниковых приборов. Так, биполярный транзистор, у которого эмиттер изготовлен из полупроводника с более широкой запрещенной зоной, чем у материала базы, проявляет слабую зависимость коэффициента усиления от тока эмиттера и обладает малой емкостью эмиттерного перехода. [3]

Результат внутренней ОЬ. [4]

Гетеропереходы и структуры с постепенным изменением состава приобретают все более возрастающее значение. Они могут быть получены эпитаксиальным методом ( см. гл. [5]

Гетеропереход образуется при контакте двух различных по химическому составу полупроводников с разной работой выхода электронов. В результате на границе раздела возникает диффузионное электрическое поле. [6]

Гетеропереходы ZnTe с р-проводимостью на селениде цинка с n - проводимостью были получены Цудзимото [65], изучившим характеристики диодов ZnTe / ZnSe. Эпитаксиальные пленки ZnTe образуются лишь на гранях ( 111) ZnSe, упакованных атомами цинка, но не на поверхностях ( 111), упакованных атомами селена. [7]

Энергетические диаграммы гетеропереходов. [8]

Гетеропереходом называют переходный слой с существующим там диффузионным электрическим полем между двумя различными по химическому составу полупроводниками. [9]

Гетеропереходом называют электрический переход при контакте различных полупроводников, отличающихся по ширине энергетических зон. При образовании таких контактов происходит перераспределение носителей заряда, что приводит к появлению контактной разности потенциалов и к выравниванию уровней Ферми. [10]

Энергетическая диаграмма гетеропереходов р-п ( а и п-п ( б при отсутствии внешнего напряжения. [11]

Гетеропереходом называют электрический переход при контакте двух полупроводников, имеющих различную ширину запрещенной зоны. [12]

Гетеропереходом называют переходный слой, возникающий на границе двух полупроводников с разной шириной запрещенной зоны. [13]

Гетеропереходом называется переход между двумя полупроводниковыми областями с различной шириной запрещенной зоны. Гетеропереходы имеют более высокий коэффициент инжекции по сравнению с обычными переходами. [14]

Энергетические диаграммы гетеропереходов. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5