Гетеропереход

Cтраница 3

В гетеропереходе ( рис. 7.9 6) скачок энергии в зоне-проводимости в области перехода равен (1.39) АЕС Х - Хп. Высоту потенциального барьера в зоне проводимости можно определить как дщАЕс - б, где 6 есть разность между энергией дна зоны проводимости в - полупроводнике на границе перехода и уровнем Ферми. [31]

В гетеропереходах почти всегда наблюдается значительный рекомбина-ционный ток через энергетические состояния, расположенные на границе раздела двух полупроводников. Его также необходимо учитывать при интегрировании (2.1), например, путем введения эффективной скорости рекомбинации на поверхности раздела. В некоторых случаях ( при очень малой толщине обедненного слоя) часть носителей заряда принимает участие в совместном процессе туннелирования и рекомбинации, который может оказаться даже преобладающим в области границы раздела. Существование туннельного тока сказывается на форме вольт-амперной характеристики диода и, в частности, обусловливает специфические особенности поведения характеристики при вариациях температуры. [32]

В гетеропереходах на вид вольт-амперной характеристики существенное влияние оказывают несовершенства границы между двумя материалами, проявляющиеся в образовании большого количества дефектов и скоплении примесей. Эти дефекты и примеси участвуют в процессах генерации и рекомбинации носителей заряда, что сильно влияет на прохождение тока. В гетеропереходах поэтому А превышает единицу. На вольт-амперную характеристику большое влияние может оказывать туннелирование носителей заряда через потенциальный барьер, если ширина его невелика. [33]

Энергетическая схема сверхструктуры ( мини-зоны заштрихованы. [34]

Гетероструктуры и гетеропереходы, представляющие собой контакт разных полупроводниковых материалов, применяются при создании полупроводниковых лазеров и др. полупроводниковых приборов. [35]

Описанный выше гетеропереход используют в структурах полевых транзисторов с управляющим переходом металл - полупроводник. Примеры конструкций нормально открытого и нормально закрытого ГМЕП-транзисторов показаны на рис. 5.11. При изготовлении нормально открытых транзисторов на легированную хромом полуизолирующую подложку из арсенида галлия ( рис. 5.11, а) методом молеку-лярно-лучевой эпитаксии последовательно наносят: нелегированный слой арсенида галлия р - - типа проводимости, нелегированный разделительный слой арсенида галлия-алюминия, легированный кремнием ( Мд 7 - 1017 см-3) слой арсенида галлия-алюминия. Для формирования затвора 3 используют слой алюминия, для контактов к ис-токовой И и стоковой С областям - сплав AuGe / Ni. В нормально закрытом транзисторе с индуцированным каналом ( рис. 5.11, б) верхний слой арсенида галлия-алюминия частично стравливают до толщины 50 нм. Таким способом на одной подложке изготовляют нормально открытые и нормально закрытые транзисторы. [36]

Чем отличается гетеропереход от обычного гомогенного перехода. [37]

Рассмотрим теперь гетеропереход между полупроводниками одного типа проводимости. [38]

В случае гетероперехода часть носителей из объема одного полупроводника проникает через барьер в другой, уравнивая Sp в объеме обоих. В результате переноса заряда создается внутр. [39]

Благодаря наличию гетеропереходов ( р - i и i-га) достигается высокий уровень инжекции носителей в r - слой, что приводит к уменьшению его сопротивления. [40]

Для большинства гетеропереходов наклон зависимости lg / от V почти не меняется при вариациях емпературы, и поэтому выражения (2.41) и (2.42) для этих переходов несправедливы. [41]

Для большинства гетеропереходов наклон кривых % J ( V) почти не зависит от температуры, поэтому можно предположить, что преобладающим механизмом переноса носителей заряда является их туннелирование через потенциальный барьер. Квантовомеханическое туннелирование начинает играть заметную роль при толщине барьера менее 10 - 20 нм. При проведении расчетов обычно предполагают, что средняя длина свободного пробега электронов значительно больше туннельного пути и электрон-электронным взаимодействием можно пренебречь. [42]

Важнейшее отличие гетеропереходов от простых р - - переходов связано со скачкобразным изменением ширины запрещенной зоны на границе раздела двух полупроводников. [43]

Структура фотодиода на основе выпрямляющего контакта металл - полупроводник ( а и его энергетическая диаграмма при обратном напряжении ( б. [44]

Энергетическая диаграмма гетероперехода, смещенного в обратном направлении, показана на рис. 10.8. При освещении фотодиода с таким гетеропереходом со стороны широкозонного полупроводника квантами света с энергией hv ( A hv АЭ2) свет поглощается в узкозонном полупроводнике. Широкозонный полупроводник оказывается прозрачным для таких квантов света. Возникшие при этом неосновные носители заряда, проходя через гетеропереход, создают фототок. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5