Гетеропереход

Cтраница 2

Гетеропереходом называют переходный слой с существующим там диффузионным электрическим полем между двумя различными по химическому составу полупроводниками. [16]

Гетеропереходом называется переход, образованный между двумя полупроводниками с различной шириной запрещенной зоны. [17]

Критические деформации и напряжения и их взаимосвязь с механическими и электрическими свойствами гетеропереходов на основе соединений III - V групп периодической системы [ Olsen e. а., 1978 ]. [18]

Бели гетеропереходы изготовляют при повышенных температурах, то действие механических напряжений, безусловно, связано и с различием коэффициентов теплового расширения. [19]

Отличает гетеропереход от гомоперехода также и наличие пика на границе зоны проводимости. Это должно приводить к появлению области, обогащенной электронами, слева, и области, обедненной электронами, справа. Протекание тока в зоне проводимости через барьер может осуществляться, по-видимому, двумя путями: туннелированием сквозь зубец и прохождением над зубцом. В механизме прохождения тока через гетеропереход должны играть также весьма существенную роль дефекты на границе раздела: так называемые граничные состояния. Граничные состояния создают на границе раздела большое количество рекомбинационных ловушек. В результате токи рекомбинации через эти ловушки могут оказаться доминирующими. [20]

Однако реальный гетеропереход во многих случаях требует учета поверхностных состояний яа границе раздела, вызывающих дополнительное искривление энергетических зон. [21]

Многие реальные гетеропереходы в действительности представляют собой ПДП-структуры, поскольку в процессе их изготовления образуется промежуточный диэлектрический слой естественного оксида. [22]

Применение гетеропереходов значительно расширяет возможности выбора полупроводниковых материалов для фотоэлектрических преобразователей. Солнечные элементы с гетероструктурой, у которых полупроводник, содержащий гомогенный р - п-переход, и широкозонный материал согласуются между собой по параметрам кристаллических решеток, обладают очень высоким КПД. Подобные гетероструктуры кратко рассмотрены в 2.5.7 и более подробно в гл. [23]

Модели гетероперехода [ Anderson, 1960; Van Ruyven, 1972 ] соответствуют двум предельным случаям. В первом из них полагают, что на границе раздела образуются диполи, а обедненные слои почти не меняются при соединении полупроводников независимо от уровня их легирования. Согласно модели Андерсона обедненные слои формируются при образовании контакта двух полупроводников. Большинство гетеропереходов, вероятно, отвечает какому-либо промежуточному случаю. [24]

Модифицирование гетероперехода в гетероконтактных микрокристаллах AgHal ионами Cd ( II) / / Журн. [25]

Исследования гетеропереходов до 1974 г. не проводили, возможно, ввиду отсутствия высокосовершенных монокристаллов InP р-типа проводимости. Более того, длины тетраэдрических атомных связей в InP и в CdS равны 0 2533 и 0 2532 нм соответственно, и, следовательно, характер ориентации InP некритичен, что и было экспериментально подтверждено. [26]

Использование гетеропереходов позволяет создать на границе между полупроводниковыми материалами потенциальные барьеры самой различной формы и таким образом широко изменять свойства приборов, изготовленных на их основе. Причем свойства значительной части этих гетеропереходов должны принципиально отличаться от свойств гомогенных р - - переходов. [27]

Свойства гетеропереходов делают их весьма перспективными при разработке различных типов приемников излучений, диодов, новых типов транзисторов, твердых схем. [28]

Для гетероперехода GaAs - GaP установлено: АЕс0 0 67, AEVQ 0 15, A. В инжекционных лазерах используется несколько типов гетер остр у ктур на основе AlxGai - xAs - GaAs. [29]

Для сплавного гетероперехода GaAs-GaSb коэффициент А оказался равным 0 9, что свидетельствует о наличии значительного туннельного тока. Туннелирование, по-видимому, становится возможным из-за разупорядочения структуры вблизи границы раздела областей, которое приводит к уменьшению эффективной толщины барьера. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5