Гетеропереход

Cтраница 4

Метод выращивания гетеропереходов из жидкой фазы основан на том, что, как правило, материалы, используемые для создания гетероперехода, возможно производить или непосредственно из расплава легкоплавкого компонента, или расплавляя только пограничный участок. По электрическим характеристикам переходы, приготовленные обоими методами, значительно не отличаются. [46]

Для изготовления гетеропереходов обычно применяют метод эпитаксиального наращивания монокристаллического слоя одного материала на монокристаллической подложке либо эпитаксиаль-ном слое из другого материала. [47]

Зонная структура кристалла с гетеропереходом. [48]

Типичная схема гетероперехода показана на рис. 8.10. Гетеропереходы также могут быть резкими или плавными, симметричными и несимметричными. [49]

Энергетическая диаграмма излучающей одинарной гетероструктуры в равновесном состоянии.| Энергетическая диаграмма двойной гетероструктуры. [50]

При образовании гетероперехода происходит перераспределение-но-сителей заряда, что приводит к появлению контактной разности потенциалов. Уровень Ферми для гетероструктуры в равновесном состоянии единый. На рис. 1.21 изображены энергетические диаграммы излучающей гетероструктуры GaAlAs: QaAs в состоянии равновесия. Таким образом, гетероструктура имеет различные потенциальные барьеры для инжектируемых дырок и электронов. [51]

При использовании гетероперехода в качестве основы мощных выпрямительных диодов можно облегчить тепловой режим работы прибора за счет того, что излучение, которое выделяется при рекомбинации неосновных носителей заряда в обедненной области в течение обратного полупериода напряжения может быть выведено из прибора через широкозонный полупроводник без поглощения и рассеяния в окружающей среде или в специальном поглотителе. [52]

Электрические свойства гетеропереходов ( ГП) так же, как и структура приграничного слоя Се, немонотонно изменяются с повышением температуры подложки. Диоды, изготовленные из образцов с 480 С 71П 520 С, обладают промежуточными характеристиками. Увеличение Та до 580 С повышает уобр, а при 71П600 С ГП не обладают выпрямляющими свойствами. [53]

Для получения гетеропереходов на основе тройных соединений ZnSiP, ZnSnP2 использован метод роста из раствора-расплава. Красные кристаллы ZnSiP2, выпадающие в начальной стадии охлаждения, покрываются эпитаксиально-ориентированным слоем ZnSnP2 серого цвета. Металлографией выявлен резкий гетеропереход. [54]

На основе гетеропереходов можно создавать не только структуры типа р-п, наиболее характерные для гомопере-ходов, но и структуры типа п-п или р-р. Так, в частности, п-п гетеропереходы могут быть использованы для изготовления высокоскоростных переключающих импульсных диодов. [55]

Энергетическая диаграмма гетероперехода при обратном напряжении и при освещении его квантами света с различной энергией ( hv hv. [56]

Энергетическая диаграмма гетероперехода, смещенного в обратном направлении, показана на рис. 9.23. При освещении фотодиода с таким гетеропереходом со стороны широкозонного полупроводника квантами света с энергией / iv ( AJ. Широкозонный полупроводник оказывается прозрачным для таких квантов света. Возникающие при этом неосновные носители заряда, проходя через гетеропереход, создают фототок. [57]

Энергетическая диаграмма гетероперехода при обратном напряжении и при освещении его квантами света с различной энергией ( Av Av. [58]

Энергетическая диаграмма гетероперехода, смещенного в обратном направлении, показана на рис. 9.23. При освещении фотодиода с таким гетеропереходом со стороны широкозонного полупроводника квантами света с энергией ftv ( A5i / tvA32) свет поглощается в узкозонном полупроводнике. Широкозонный полупроводник оказывается прозрачным для таких квантов света. Возникающие при этом неосновные носители заряда, проходя через гетеропереход, создают фототок. [59]

Оптические исследования германий-кремниевых гетеропереходов показали, что если используется сильнолегированный кремний и освещение производится с его стороны, то фототек образуется преимущественно за счет электронно-дырочных пар, генерируемых в германии. Это говорит о том, что обедненная область распространяется преимущественно в сторону германия. Если обе области легированы до одинакового уровня, то на спектральной характеристике можно выделить три области. Фотоны с энергией, большей ширины запрещенной зоны в кремнии, поглощаются в нем. При этом образуется положительный фототек. Для фотонов с энергией, большей ширины запрещенной зоны в германии, но меньшей, чем в кремнии, знак фототока изменяется на обратный. Фототек снова становится положительным при облучении фотонами с энергией, меньшей ширины запрещенной зоны в германии. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5