Cтраница 3
Влияние содержания SiCl4 в газовой смеси на фазовый состав н глубину диффузионного слоя было исследовано на молибдене. Установлено, что при небольшой концентрации SiCl4 в газовой смеси диси-лицнд молибдена ( MoSi2) не образуется. Силицидный слой при концентрации в газовой смеси SiCI4 до 1.8 %, по данным рентгеноструктурного анализа, состоит из MogSi. На рис. 5 показано влияние содержания SiCl4 в газовой смеси на глубину диффузионного слоя. Резкое снижение толщины силицидного слоя объясняется образованием новой фазы. [31]
Ширина резистора d в полупроводниковых ИС не может быть меньше, чем глубина диффузионного слоя, и поэтому имеет размер порядка 5 - 10 мкм. Интегральные схемы, содержащие пассивные компоненты, обычно изготавливаются с биполярными транзисторами в качестве активных компонентов. Эти схемы могут быть сделаны с достаточно большим быстродействием. Время переключения в них лежит в пределах 5 - 20 не, рассеиваемая ими мощность - от десятков милливатт до единиц микроватта. [32]
![]() |
Схемы диаграмм состояния железо - диффундирующий элемент ( а, кривы изменения концентрации диффундирующего элемента по толщине диффузионного слоя ( 5 и строение диффузионного слоя ( в. [33] |
Следовательно, природа первичных образований, фазовый состав и изменение концентрации по глубине диффузионного слоя могут быть описаны диаграммой состояния: железо - диффундирующий элемент. [34]
Это значение относится к зубчатым колесам, закаливаемым с нитроцементационного нагрева с глубиной диффузионного слоя у переходной поверхности ( 0 13 - 0 2) m мм, но не более 1 2 мм. [35]
Это значение относится к зубчатым колесам, закаливаемым с иитроцементационного нагрева с глубиной диффузионного слоя у переходной поверхности ( 0 13 - 0 2) т мм, но не более 1 2 мм. [36]
Их влияние сказывается, вероятно, и на величине концентрационного градиента кремния по глубине диффузионного слоя. [37]
Анализ приведенных данных показывает, что алюминий ускоряет диффузию азота в титане, увеличивая глубину диффузионного слоя и привес образцов, а марганец, олово и особенно кремний действуют в противоположном направлении. [38]
При нанесении пневматическим распылением металлических покрытий, например алюминиевой краски, толщину металлического слоя подбирают равной глубине диффузионного слоя, который требуется получить. [39]
При расходе водорода 40 - 50 дм3 / ч и 980 С в течение 4 ч глубина диффузионного слоя составляет при применении феррохрома 0 05 мм, при применении хрома 0 08 мм. Увеличение выдержки увеличивает глубину слоя в обоих случаях. Увеличение расхода водорода также увеличивает глубину слоя. [40]
![]() |
Микрошлиф образца цементированной стали 12ХНВА ( 1 %, увеличение 100. [41] |
При наличии поверхностного обезуглероживания и в некоторых других случаях контроль твердости не может дать правильных представлений о глубине диффузионного слоя. Неоднородность термической обработки также в значительной степени обесценивает методы - механических испытаний и металлографического анализа, поскольку пробы для испытаний всегда берутся от концов изделий или от сопровождающих их в процессе термической обработки образцов-свидетелей. [42]
При цементации стали 10 в 65 % - ном метиловом спирте при 950 С и выдержке 15 мин глубина диффузионного слоя составляет 0 38 мм. [43]
Показано, что в результате амальгамирования и ТО магния можно получить Mg-Hg сплав с различным содержанием ртути по глубине диффузионного слоя. [45]