Градиент - концентрация - дырка
Cтраница 1
Градиент концентрации дырок в n - базе на границе п - п перехода, как видно из рис. 1.19, равен нулю. Это означает, что диффузионный ток дырок через этот переход также равен нулю. [2]
При этом градиент концентрации дырок в базе у границы перехода остается неизменным, так как ток через диод, равный 1Я, остается неизменным. [3]
 |
Распределение в транзисторе. [4] |
Возникающий в базе градиент концентрации дырок вызывает диффузионный ток дырок от амиттера к коллектору. [5]
Возникающий при этом градиент концентрации дырок обусловливает дальнейшее диффузионное проникновение их в глубь п-области полупроводника, где дырки являются неосновными носителями заряда. Это явление называют инжекцией носителей заряда; оно играет большую роль в работе полупроводниковых приборов. [6]
При уменьшении да градиент концентрации дырок в базе увеличивается и, следовательно, ток эмиттера растет. [7]
Аналогичным образом выражается градиент концентрации дырок. [8]
В результате существования градиента концентрации дырки диффундируют через область базы. Предполагается, что единственные участки, где имеется электрическое поле, ограничены областями переходов. Поэтому в области базы отсутствует электрическое поле, которое могло бы оказать помощь в перемещении через нее дырок. [9]
 |
Схема включения триода с общей базой. [10] |
У приборов первого вида градиент концентрации дырок, появившихся в области базы у перехода эмиттер - база, направлен к эмиттеру. Уменьшение этого градиента может происходить лишь за счет диффузионного движения дырок в области базы от эмиттера к коллектору. При движении дырок возможны три случая: дырки могут дойти до базового контакта и там рекомбинировать, вызвав соответствующий поток электронов к базе, либо рекомбинировать в самой базовой области, либо, наконец, дойти до коллектора. Конструктивно транзистор осуществляется так, чтобы расстояние от эмиттера до коллектора было значительно меньше диффузионной длины и расстояния от эмиттера до базового контакта. Благодаря этому основная часть дырок доходит до коллектора и лишь незначительная часть их рекомбини-рует в базе или на базовом контакте. [11]
 |
Эквивалентная схема. [12] |
Уменьшение ширины базы W увеличивает градиент концентрации дырок и соответственно ток в базе, обусловленный диффузией дырок от эмиттера к коллектору. [13]
Это также приводит к изменению градиента концентрации дырок в базе, но в сравнительно небольшой степени, так как изменение толщины базы обычно относительно невелико. [14]
Поэтому обратное напряжение коллектора влияет на градиент концентрации дырок в базе, а следовательно, и на ток эмиттера значительно слабее, чем прямое напряжение эмиттера. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5