Градиент - концентрация - дырка
Cтраница 2
 |
Распределение концентрации дырок в базе транзистора. [16] |
Из рис. 4.31 видно, что градиент концентрации дырок вблизи коллектора на высокой частоте изменяется меньше, чем на низкой. Поэтому амплитуда переменной составляющей коллекторного тока iK с ростом частоты уменьшается. [17]
В точке х О несколько увеличивается градиент концентрации дырок: это в свою очередь вызывает незначительное увеличение тока эмиттера для данного напряжения на эмиттере. [18]
Дырочный ток в базе возникает из-за наличия градиента концентрации дырок и вызывает накопление в базе заряда Q6, который зависит как от инъекционной концентрации р3, так и от объема базы. [19]
Коллекторное напряженке в дрейфовом транзисторе мало влияет на градиент концентрации дырок у эмиттерного перехода. [20]
Токи эмиттерного и коллекторного переходов можно найти, определив градиенты концентрации дырок на границах области базы. Взаимодействие близко расположенных эмиттерного и коллекторного переходов приводит к изменению закона распределения неравновесных дырок в базе. Обычно предполагают, что концентрация неравновесных неосновных носителей заряда значительно меньше концентрации основных носителей. В этом случае влиянием электрического поля в базе на неосновные носители заряда можно пренебречь и считать, что последние движутся от эмиттера к коллектору только за счет диффузии. Кроме того, можно полагать, что все приложенное к транзистору напряжение падает только на р-и-переходах. [21]
Дифференцируя по х соотношение ( 12 - 35), можно определить градиент концентрации дырок в базе, а значит и значение диффузионного тока. [22]
При дальнейшем увеличении тока базы ток коллектора не изменяется, следовательно, градиент концентрации дырок в базе, которому пропорционален ток коллектора, также не изменяется. [23]
 |
Зависимость коэф - обусловлен снижением ко-фициента передачи в схеме с,. [24] |
При протекании тока через р-п - р структуру в базе имеет место градиент концентрации дырок. Если градиент дырок существует за счет их ухода через коллекторный переход, то для поддержания градиента электронов, которые не могут преодолеть потенциальный барьер коллекторного перехода, необходимо наличие электрического поля. [25]
Дифференцируя по х соотношение ( 12 - 35), можно определить градиент концентрации дырок в базе, а значит и значение диффузионного тока. [26]
Повышение напряжения кб при / 9 const ( что равносильно требованию постоянства градиента концентрации дырок в базе) приводит к снижению концентрации дырок на границе базы и эмиттера ( рис 11, г), а следовательно, к понижению напряжения на эмиттерном переходе. [27]
В результате дырки из эмиттера р-типа диффундируют в базу - типа, создавая градиент концентрации дырок. Таким образом, концентрация дырок в базе у эмиттера оказывается выше, чем в базе у коллектора. [28]
 |
Появление э. д. с. в полупроводнике. [29] |
В; ст - проводимость, обусловленная основными носителями; V ХР - градиент концентрации дырок в направлении луча света; ап, ТР - проводимости, обусловленные неосновными носителями. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5