Градиент - концентрация - дырка
Cтраница 3
Выражения для гк и СкО, приведенные выше, получены в предположении, что градиент концентрации дырок в базе следует за изменениями входного сигнала. На самом деле концентрация устанавливается не мгновенно и, следовательно, полный заряд дырок в базе, сопротивление гк и емкость CKD будут зависеть от частоты. [31]
 |
Зависимость распределения концентрации дырок в базе бездрейфового ( а, б и дрейфового ( ф транзистора. [32] |
В этом случае уменьшение толщины базы ( d Qid6) приведет к некоторому увеличению градиента концентрации дырок в базе, следовательно, возрастут токи эмиттера / д / э и коллектора. [33]
Поскольку токи / э и / к в области насыщения не меняются, остаются неизменными и градиенты концентрации дырок на границах переходов. Таким образом, граничная кривая распределения ( рис. 14 - 10), начиная с момента / Г, перемещается вверх параллельно самой себе. [34]
Появление этого компонента вызвано тем, что при изменении толщины базы за счет напряжения на коллекторе меняется градиент концентрации дырок в области базы, а следовательно, и диффузионный ток. [35]
 |
Схематическое изображение процессов диэлектрической релаксации в примесном ( дырочном полупроводнике. [36] |
Заметим, что нейтрализация в принципе не может быть полной, иначе нельзя было бы объяснить наличие градиента концентрации дырок между рассматриваемым объемом и основной частью кристалла. В действительности остается небольшой нескомпенсированный заряд электронов, поле которого и поддерживает градиент концентрации дырок. Именно неполной компенсацией заряда объясняется термин квазмнейтральность. Электрическое поле, обусловленное неполной компенсацией заряда, будем называть остаточным. [37]
 |
Схематическое изображение процессов диэлектрической релаксации в примесном ( дырочном полупроводнике. [38] |
Заметим, что нейтрализация в принципе не может быть полной, иначе нельзя было бы объяснить наличие градиента концентрации дырок между рассматриваемым объемом и основной частью кристалла. В действительности остается небольшой нескомпенсированный заряд электронов, поле которого и поддерживает градиент кои-центрацш. Именно неполной компенсацией заряда объясняется термин квази-нейтральность. [39]
 |
Временные диаграммы токов эмиттера и коллектора транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, при подаче на вход импульса тока. [40] |
В момент окончания импульса напряжения Ua концентрация дырок в базе на границе эмиттерного перехода мгновенно падает до равновесного значения, образуется обратный градиент концентрации дырок, вследствие чего ток эмиттера меняет свое направление по величине, стремясь к бесконечности. Реально величина тока эмиттера конечна, вследствие наличия сопротивления базы re и емкости эмиттера Сэ. Ток коллектора в момент времени ttz скачком измениться не может, так как изменение концентрации дырок у эмиттера не мгновенно распространяется к коллектору. Поэтому изменение тока базы в момент времени tn равно изменению тока эмиттера. Уменьшение концентрации дырок в базе с течением времени приводит к уменьшению градиентов концентрации их у коллекторного и эмиттерного переходов, что и определяет спад токов базы, эмиттера и коллектора. [41]
 |
Схемы для снятия статических характеристик транзистора. [42] |
Следовательно, при неизменном напряжении на эмиттер-ном переходе, определяющем неизменную концентрацию неравновесных дырок на границе эмиттерного перехода с базой рпно, происходит увеличение градиента концентрации дырок в этом сечении, что и обусловливает увеличение тока эмиттера и веерообразное смещение эмиттерной характеристики влево. [43]
Плотность дырочного диффузионного тока определяется из аналогичного выражения jpo - qD p ( dpldx), где Dp - коэффициент диффузии дырок; dpldx - градиент концентрации дырок. [44]
 |
Схемы для снятия статических характеристик транзистора. а - с общей базой. б - с общим эмиттером. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5