Граница - насыщение
Cтраница 1
Граница насыщения характеризуется тем, что напряжение на коллекторном переходе равно нулю. [1]
 |
То кораспределение в реальном транзисторе в режиме асы. [2] |
Режим соответствует границе насыщения. [3]
Жидкость на границе насыщения ( точка 1) адиабатно расширяется. Давление и температура падают, а паросодержание его возрастает. Адиабата / - / располагается правее пограничной кривой жидкости. [4]
Под влиянием никеля граница насыщения области твердого раствора а резко сдвигается в сторону медного угла. В гетерогенной области при малой концентрации олова с понижением температуры появляется новая фаза 0, которая при быстром затвердевании сплава выделяется в форме мелких игольчатых кристаллов. Границы ликвидуса и фазовых превращений в твердом состоянии в этой системе под влиянием никеля заметно повышаются. [5]
 |
Начальный участок выходных характеристик для схемы с ОЭ. [6] |
Более правильно считать границей насыщения равенство Нулю напряжения на коллекторном переходе, а не между внешними выводами. [7]
Рмин триггер находился на границе насыщения. Поскольку с повышением температуры коэффициент р увеличивается, значение ( Змин определяется при нижней граничной температуре Апт, а величина рмакс находится для верхней граничной температуры Ляакс, заданной в условиях расчета. В случае расчета триггера со взаимозаменяемыми элементами для условий массового производства экстремальные значения коэффициента усиления определяют с учетом их технологического разброса. [8]
 |
Мультивибратор с блокировкой коллекторных потенциалов. [9] |
Принятое значение Rl соответствует границе насыщения открытого транзистора. [10]
Эти параметры газ имеет на границе насыщения. [11]
Режим в точке а называют режимом границы насыщения. [12]
Допустим, что транзистор находится на границе насыщения, при этом напряжение коллектора УС - 0 3 в ( см. фиг. Ток базы, необходимый для образования этого коллекторного тока, обозначенный как / BDC может быть получен из графика на фиг. [13]
Уровень включения f / oi соответствует границе насыщения транзистора. Его величина зависит от параметров схемы. [14]
Отпускание реле происходит при выходе триода Tz на границу насыщения ( точка Я2 на рис. 6.53, г), когда ток / б2 бнз. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5