Граница - насыщение
Cтраница 4
Коэффициент насыщения показывает, во сколько раз втвквющий в базу ток Гй больше такого тока базы, при котором БТ оказывает я на границе насыщения. [46]
 |
Схема ключа на кращаются, но увеличивается время рас-гранзисторе, включенном по, л пс - ч. [47] |
Эти напряжения измеряются при определенной глубине насыщения, характеризующейся коэффициентом насыщения / СНао - отношением тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения. [48]
Коэффициент насыщения 5 показывает, во сколько раз ток k, втекающий в базу транзистора, превосходит ток базы, при котором транзистор оказывается на границе насыщения. [49]
Оно показывает, во сколько раз базовый ток / б превосходит то значение тока базы ( / 6н), при котором транзистор оказывается на границе насыщения. [50]
 |
Распределение потенциалов тепло - и массопереноса. а - охлаждение газа. б - нагревание газа. [51] |
Поскольку отношение ( 5М / 0СЛ стремится к нулю, то имеют место условия, которые, по аналогии с процессами на мелких каплях, способствуют приобретению границей насыщения равновесного состояния ( tM, dM) и сохранению этого состояния в течение всего процесса тепло - и массообмена. [52]
Вст / б1 / / кн, показывающей, во сколько раз насыщающий ток базы превышает величину, минимально необходимую для достижения данного тока коллектора / кн на границе насыщения. [53]
Коэффициент насыщения транзистора в режиме переключения - отношение тока базы биполярного транзистора в открытом состоянии к значению тока базы, при котором рабочая точка транзистора переходит из активной области на границу насыщения области. [54]
 |
Вольт-амперная характеристика вентиля BI в цепи межкаскадной связи. [55] |
По справочным данным или экспериментально [44] определяем: а) зависимость коэффициента усиления TI от коллекторного тока ( 3i Pt ( JKi); б) зависимость напряжения база - эмиттер от гк на границе насыщения w36i M36i ( JKi) i ftlo в) по последней зависимости - напряжение С / кэ. [56]
 |
Влияние температуры и давления на удельную энтальпию насыщенного пропана. [57] |
На практике при таких процессах, как транспортировка жидких СНГ по трубопроводам, сжижение под давлением, испарение при температуре кипения жидкостей, перегрев, расширение или сжатие паров, требуются сведения об энтальпии за пределами границ насыщения. Для этих целей разработаны номограммы, позволяющие найти энтальпии в широком диапазоне температур и давлений ( прил. [58]
При увеличении тока базы ток / к нас остается постоянным, а факт увеличения тока базы учитывается введением коэффициента насыщения транзистора / Снас определяемого как отношение фактического тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения. [59]
Транзисторы управляются фактически токами: срабатывание происходит при 6icpa6 / Ki ( o2) / Pi, выводящем TZ на границу отсечки, а отпускание - при г о1отп / ккн2) / Рь выводящем Т2 на границу насыщения. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5