Граница - насыщение
Cтраница 2
Подсчитывают по (8.12) максимальный ток базы 7 на границе насыщения / з a I / K. H mi / Pi и выбирают резистор RK. Определяют максимальный коллекторный ток насыщенного фототранзистора / к-н. [16]
Подсчитывают по (8.12) максимальный ток базы 7 на границе насыщения / о и I / K. H mi / Pi и выбирают резистор Лк - ф из очевидного условия RK. [17]
 |
Функциональный генератор с аналоговым коммутатором на операционном усилителе. [18] |
Таким образом, частота формируемого напряжения не зависит от уровня границы насыщения 1 / макс операционного усилителя. Если к стабильности амплитуды треугольного напряжения предъявляются высокие требования, то простейший триггер Шмитта, выполненный на базе неинвертирующего усилителя, следует заменить одной из рассмотренных в разд. [19]
При глубоком насыщении увеличивается время рассасывания неосновных носителей; на границе насыщения режим становится нестабильным. [20]
За пятую характерную точку примем точку L, которая является границей насыщения. [21]
 |
Схема заторможенного мультивибратора ( а и временные диаграммы его работы ( б. [22] |
Поэтому при расчете схемы степень насыщения транзисторов устанавливается минимальной, близкой к границе насыщения. [23]
Приближенные выражения для токов коллектора / кз и базы / б на границе насыщения триода справедливы при условии, что Ек и которое, как правило, ( выполняется на практике. [24]
 |
Эффект сверхструктур в реакциях разложения муравьиной кислоты и лара-орто-конверсии. [25] |
Во всех случаях наблюдается резкое уменьшение энергии активации соответствующей реакции непосредственно перед границей насыщения сплава. Причины этого явления мы еще не знаем; здесь не удается обнаружить связи с заполнением электронных оболочек. Известно, однако, что решетка основного металла в сплаве перед границей насыщения сильно напряжена; могут даже возникать напряжения, ведущие к закалке. По-видимому, каталитические свойства таких сплавов связаны с этим состоянием непосредственно перед насыщением. [26]
При проектировании цепи нелинейной обратной связи необходимо знать величину коллекторного напряжения, соответствующую границе насыщения. [27]
Такое определение в отличие от [1] дает Af0 ( а не ДГ IJ на границе насыщения. [28]
Это объясняется тем, что к моменту начала процесса отпускания выходной триод находится на границе насыщения и, следовательно, ток обратной двязи близок к нулю. [29]
Изменение расхода газа может компенсироваться только за счет втекания его через верхнюю границу слоя ( границу насыщения), так как нижняя граница слоя ( с жидкостью) для газа является непроницаемой. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5