Граница - насыщение
Cтраница 3
Такое определение в отличие от [1] дает N0 ( а не N - 1) на границе насыщения. [31]
Установившийся ток базы / в должен в s раз превосходить ток базы / g, на границе насыщения. [32]
Измерения проводились при таких значениях коллекторной нагрузки и питающего напряжения, которые ограничивают коллекторный ток на границе насыщения величиной 10 ма. [33]
Таким образом, за счет нелинейной отрицательной обратной связи, осуществляемой с помощью диода, транзистор удерживается на границе насыщения. [34]
UR будет сохранять потенциал коллектора всегда положительным ( 0 2 В), что характеризует состояние ТК на границе насыщения. [35]
А точки Я2 и 02 на рис. 6.50, в, г определяют выходные параметры первого каскада на границе насыщения и отсечки триода Т2 второго каскада. [36]
 |
Триггер на транзисторах. [37] |
Следует отметить, что в некоторых схемах триггеров для сокращения времени рассасывания открытый триод не насыщается, а находится на границе насыщения. Это достигается применением специальных схем нелинейной обратной связи. [38]
Определяется Ррн по зависимостям Р Р ( t K) и ибн икэн икэн ( 1к), снятым на границе насыщения. [39]
 |
Константы решетки покрытий. [40] |
Согласно исследованиям остальных никелевых сплавов, по прибавлению водорода в зависимости от состава сплава можно сделать заключение также и о положении границы насыщения богатых никелем смешанных кристаллов этих сплавов. [41]
 |
К пояснению формирования фрон - щения на базе. / бш т. е. та импульса порядка нескольких деся. [42] |
Начало третьей стадии можно отнести к моменту времени, когда ток базы открывающегося транзистора 7Y становится равным значению / бш соответствующему границе насыщения, но само насыщение еще не наступило, так как коллекторный ток iKi еще меньше / KH. [43]
 |
Введение смещения. [44] |
Транзисторы управляются фактически токами: срабатывание происходит при i6icpa6 выводящем Т2 на границу отсечки, а отпускание - при 1бютп выводящем Т2 на границу насыщения. Яу фактически не зависят. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5