Граница - поглощение
Cтраница 1
Граница поглощения ш р определяет оптическую ширину запрещенной зоны А. [1]
 |
Схематическое изображение сложной структуры края поглощения. ( Зависимость величины массового коэффициента. [2] |
Измеренная в этих условиях граница поглощения не будет соответствовать переходам электронов за пределы атома в область непрерывных энергий. Она называется в работе ложной границей полосы поглощения. [3]
На рис. 83 приведены значения границ поглощения - у-лучей для некоторых веществ. [4]
 |
Схематическое изображение спектров поглощения ароматических соединений на А1С13 при - 180 С. [5] |
В отличие от А1С13 HgCl2 смещает границу поглощения анилина в сторону длинных волн, оставляя спектр сплошным. [6]
Ширина запретной зоны, судя по границе поглощения, равна 0.8 эл. Всестороннее давление уменьшает ширину запретной зоны и расстояние от уровней примесей до границы зоны. Сопротивление селена убывает на 30 % при повышении давления на 1000 атм. [7]
Ширина запретной зоны, судя по границе поглощения, равна 0.8 эл. Всестороннее давление уменьшает ширину запретной зоны и расстояние от уровней примесей до границы зоны. Сопротивление селена убывает на 30 / 0 при повышении давления на 1000 атм. [8]
Для фотометрических целей такое представление о границе поглощения светофильтров непригодно. В этом случае за начало области поглощения принимается 90 % - ное ослабление светового потока. Однако при флуориметрическом определении весьма малых яркостей свечения ( для которых используются высокочувствительные фотоумножители) такая величина поглощения недостаточна. Тогда при работе со скрещенными светофильтрами ( глава II, § 1; глава III, § 1 и 4) возбуждающее излучение будет ослабляться не менее чем в 104 - 105 раз, что практически представляет собой достаточно полное поглощение. Соответственно такой границе пропускания схематическая полоса спектрального поглощения светофильтра представлена на рис. 1 - 1 внизу. [9]
С изменением состава от As2S3 к As2Se3 граница поглощения в длинноволновую область спектра смещается довольно слабо: с 610 до 800 тц. [10]
 |
Случаи эффектов избирательного поглощения и возбуждения, простые для их учета. [11] |
В рассмотренных случаях взаимная перестановка линий и границ поглощения меняет эффект влияния на обратный. Обогащение образца мешающим компонентом помогает определить степень его влияния. [12]
Итак, энергия в 1 эв соответствует границе поглощения, расположенной в инфракрасной области с частотой 0 24 X 1Q - 15 секг1, или 1 24 мк. [13]
Полупроводники обычно прозрачны в далекой инфракрасной области: граница поглощения у них расположена в красной или ближней инфракрасной областях. [14]
Согласно этому уравнению, для получения значительного сдвига границы поглощения необходимо, чтобы было велико, a mn мало. Другим преимуществом данного материала является возможность получения его в виде полудиэлектрика с удельным сопротивлением до 108 - ом см, что позволяет ему выдерживать воздействие сильных электрических полей без нежелательного рассеяния мощности. [15]
Страницы: 1 2 3 4