Граница - поглощение
Cтраница 2
 |
Фотоэффекты в процессе адсорбции кислорода на окиси цинка при 400 и двух различных интервалах давлений. [16] |
Такое изменение фотоактивности мы предположительно связываем с распространением границы поглощения на область более длинных волн по мере возрастания содержания избыточного цинка, так как в этих условиях окисел поглощает больше излучения, посылаемого дугой. Шаровский [120] показал, что увеличение содержания цинка в ZnO приводит к значительному расширению границ поглощения. [17]
Подобное поведение наблюдалось у CdS [14]; резкость границы поглощения в этом случае была объяснена образованием экситонов и истинными междузонными переходами при немного больших энергиях. [18]
 |
Электронные спектры Уф-абсорберов. [19] |
Судя по тому, насколько далеко от УФ-области находится граница поглощения гидроксифенилбен-зоатов, эти соединения следует рассматривать как весьма неэффек - тивные. [20]
 |
Относительное поглощение в арсениде галлия. [21] |
Поэтому сравнительно небольшое изменение концентрации приводит к заметному изменению спектральной границы поглощения. [22]
По спектру излучения с учетом пропускания первичного светофильтра выбирают границу поглощения вторичного светофильтра, располагаемого между раствором и приемником излучения флуоресценции. Для удобства сопоставления спектров возбуждения ( поглощения) и излучения их следует строить на общей оси длин волн и в этих же координатах наносить кривые спектрального пропускания скрещенных светофильтров. [23]
В этом случае получается, что чем больше энергия кванта на границе сплошного поглощения, тем меньше потенциал восстановления. [24]
Из табл. 22 видно, что энергия эх, определенная по границе поглощения света, удовлетворительно согласуется с еа, определенной по температурной зависимости электропроводности. Происходит плавный сдвиг максимумов кривых спектрального распределения фоточувствительности в длинноволновую область. [25]
Особенно велико расхождение между теорией и экспериментом в области, близкой к границе поглощения, отвечающей малой кинетической энергии фотоэлектронов. В этой области кинетическую энергию К-электрона, вырванного из атома, нельзя считать намного большей, чем энергия ионизации электрона в К-оболочке атома, и основная теоретическая предпосылка, определяющая возможность апроксимации волновой функции электрона в металле плоской волной, оказывается невыполненной. Впрочем, последняя теория достаточно хорошо согласуется с экспериментом ( как это следует из рис. 38) на всем протяжении спектра, включая и ту, удаленную от скачка поглощения область энергий, в которой, казалось бы, должны сказаться преимущества теории Блохинцева и Гальперина. [26]
Эти прогрессии, вероятно, представляют собой члены ридберговскоп серии, предел которой связан с четкой границей поглощения при 16 5 эв. Подобная интерпретация подтверждается экспериментами по электронному удару, выполненными Фро-стом и Мак-Дауэлом [401] ( а также более ранней работой Прайса и Сагдена [1023]), которые наблюдали три потенциала появления Н20 при 12 60, 14 35 и 16 34 эв, причем последний, вероятно, соответствует пределу поглощения, найденному Хеннингом. Три потенциала появления должны соответствовать трем электронным состояниям нона Н20 - основному 2Д4 - состоянию, первому возбужденному состоянию типа 2А t при 1 75 эв и второму возбужденному состоянию 2В2 при 3 7 эв ( см. стр. Соответствующие цифры для НзЗ равны 2 0j и 3 78 эв. [27]
 |
Теоретическая зависимость массового коэффициента поглощения атомов в металле от частоты, а - по Кронигу. б - по Костареву. [28] |
Костарева приводит к появлению небольших пиков, которые должны появляться лишь на небольшом, прилегающем к границе поглощения отрезке восходящей ветви теоретической кривой. Это явно не согласуется с опытом. [29]
Если материал 1 подобно арсениду галлия, имеет границы поглощения в форме экспоненциальной кривой, то электрическое поле сдвигает всю границу поглощения на некоторую постоянную величину в направлении более длинных волн. [30]
Страницы: 1 2 3 4