Граница - поглощение
Cтраница 4
У большинства твердых металлов в видимой области спектра обнаруживаются области поглощения света вследствие возбуждения электронов с фер-ми-уровня в пустые зоны над ним. В жидких металлах границы поглощения не наблюдаются до тех пор, пока частота не оказывается достаточно высокой, чтобы возбудить невалентные электроны ионных оболочек. Мотт [6] придерживается несколько иной точки зрения. [46]
Этой границе отвечает энергия 87 7 ккал, близкая к теплоте диссоциации бромистого водорода, равной 86 5 ккал. Таким образом, наблюдаемая красная граница поглощения НВг практически представляет собой естественную границу диссоциации ( распад на нормальные Н и Вг) этого вещества. [47]
 |
Спектры поглощения образцов. [48] |
При толщине слоя 100 мкм структура поглощения уже отсутствует, в спектре наблюдается резкая граница поглощения около 275 - 280 нм. По мере увеличения толщины полимерной пленки граница поглощения сдвигается в сторону больших длин волн. Сдвиг этой границы не связан, конечно, с батохромным эффектом, а обусловлен лишь тем, что поглощение на крыле полосы, практически незаметное в тонкой пленке, приводит к почти полной потере света при его прохождении через толстый слой материала. [49]
Химические связи практически не влияют на интенсивность рентгеновских излучений, поскольку их возбуждение связано с переходами невалентных электронов. Влияние может распространяться только на тонкую структуру границ поглощения. При этом несколько меняется распределение интенсивностей, а линии характеристического спектра могут смещаться по длине волны. [50]
При помощи светофильтров обычно отделяют одну часть спектра от других. Это значит, что подыскивают светофильтр с резкой границей поглощения как со стороны длинноволновой части спектра, так и со стороны коротковолновой. Желтые или красные фильтры имеют резко спадающую в коротковолновой части спектра абсорбционную кривую. С их помощью можно отсечь коротковолновую часть спектра практически с любого желаемого места. Фильтры подобного рода имеются в продаже; можно заказать желаемую абсорбционную характеристику и получить фильтр, имеющий соответствующие свойства. Значительно труднее получить с помощью окрашенных стеклянных фильтров абсорбционную кривую, резко спадающую в длинноволновой части спектра, если предъявляются высокие требования к однородности стекла. В этом случае применяют желатиновые фильтры, окрашенные органическими красителями. Некоторые указания по изготовлению таких светофильтров даются ниже. [51]
Край поглощения хлора в этих соединениях смещается в коротковолновую сторону на величину, зависящую от химической природы адента, располагающегося в молекуле в цис-положе-нип к атомам хлора. Природа транс-заместителя, как правило, мало влияет на положение границы поглощения хлора в молекуле. Наличие двойной связи между атомами углерода в молекуле также ведет к изменению длины волны края поглощения хлора, связанного с атомом углерода. Переход от соединения, в котором атомы углерода связаны простой связью, к молекуле с двойной связью вызывает небольшое смещение границы края поглощения в сторону коротких волн. [52]
Вещество, из которого делают призмы, должно обладать большой дисперсией, но в то же время быть прозрачным в исследуемой области спектра. Поэтому наиболее эффективно призма работает в области, близкой к границе поглощения вещества, где изменение показателя преломления уже велико, а поглощение еще мало. [53]
Завышенные значения вх в работе [133], возможно, обусловлены неоднородностью пленок, полученных испарением смесей соответствующих сульфидов и селенидов мышьяка. Энергия ионизации в таких пленках будет в основном определяться компонентом, граница поглощения которого находится в коротковолновой части спектра. [54]
Фотоэлектромагнитный эффект, называемый иногда фотомагне-тоэлектрическим ( ФМЭ) эффектом, возникает в том случае, когда полупроводник, помещенный в магнитное поле, как для измерения эффекта Холла, подвергают прямому освещению. Если твердое тело освещается светом с частотой, близкой к его основной границе поглощения, вблизи освещенной поверхности возникают пары электрон - дырка. Если избыточная концентрация носителей достаточно велика, между освещенной и неосвещенной поверхностями устанавливается диффузионный ток. В присутствии магнитного поля, перпендикулярного этому току, возникает напряжение, перпендикулярное обоим полям и известное как ФЭМ-эффект. Величина ФЭМ-тока зависит от интенсивности потока фотонов, магнитной индукции, времени жизни и подвижности электронов и дырок, скорости поверхностной рекомбинации и температуры. [55]
 |
Строение энергетических зон ( схематическое. а - беспримесный полупроводник, б - наполовину заполненная зона проводимости, в - расположение внахлестку зон проводимости и валентных уровней. [56] |
При определении ширины запретной зоны следует иметь в виду, что кристаллы с Wg E 3 эв, не содержащие дефектов или загрязнений, кажутся бесцветными, а в порошкообразном виде имеют окраску белого цвета. Это обстоятельство связано с тем, что при значении Wg 3 эв граница поглощения для указанных кристаллов находится в ультрафиолетовой области спектра. Кристаллы с энергетическим промежутком Wg 1 75 эв непрозрачны, а в порошкообразной форме имеют темную окраску, так как их граница поглощения расположена в инфракрасной области. Кристаллы и порошки с промежуточными значениями энергетического промежутка окрашены в тот или иной цвет. В связи с этим следует напомнить, что длина волны для фотона с энергией 1 эв равна 12 396 А. Для полупроводников со значением Wg 3 эв оптический метод определения ширины запретной зоны является наиболее удобным, ибо в таких случаях измерения собственной электропроводности кристалла оказываются затруднительными. [57]
Интенсивность аналитической линии, помимо общего характера ослабления, может быть значительно поглощена атомами третьих элементов или, наоборот, усилена их излучением. Такие эффекты носят избирательный характер и связаны с соотношением длин волн линий и границ поглощения взаимно влияющих элементов. Рассмотрим схему, приведенную на оис. [58]
Такое изменение фотоактивности мы предположительно связываем с распространением границы поглощения на область более длинных волн по мере возрастания содержания избыточного цинка, так как в этих условиях окисел поглощает больше излучения, посылаемого дугой. Шаровский [120] показал, что увеличение содержания цинка в ZnO приводит к значительному расширению границ поглощения. [59]
Страницы: 1 2 3 4