Cтраница 1
Двойниковая граница в решетке типа алмаза может иметь, например, такой вид, как на рис. 1 - 18 а. По одну сторону имеется последовательность слоев АВСАВА, по другую-противоположная ей последовательность АВАСВА. [1]
Обычно двойниковая граница просматривается на поверхности растущего монокристалла в виде тонкой полосы. В некоторых случаях двойникование проявляется в форме нескольких, параллельно располагающихся плоскостей, образующих так называемые двойниковые ламели. Если число двойниковых плоскостей в ламел не четное, то ориентация растущего по другую сторону ламели монокристалла не изменяется. [2]
Любая двойниковая граница между двумя решетками будет стремиться принять такую ориентацию, чтобы в ней содержались узлы, общие для обеих решеток. [3]
Поскольку двойниковая граница может рассматриваться как простейший случай межфазной границы и большеуголовой границы зерен, то вблизи плоских участков упомянутых типов границ также можно ожидать возникновения двухмерной сверхпроводимости. [4]
![]() |
Температурная зависимость подвижности границ наклона в алюминии для разных углов поворота ( указаны на кривых вокруг 100. [5] |
Подвижность двойниковых границ и границ, очень близко ориентированных зерен, как установили Бюргере и Лакомб, обладают наименьшей подвижностью. Швиндлерманом и др. установлено, что подвижность границы М от температуры в координатах gM - ( 1 / 7) ( рис. 94) носит устойчивый линейный характер при любых исследованных углах разориентации, что свидетельствует об активационном характере процесса. [6]
Перемещение двойниковой границы ( поверхностной дислокации) рассмотрено Сумино [236] как результат термофлуктуационного зарождения и движения перегибов на поверхностной дислокации; ими являются обычные двойникующие дислокации. В отличие от обычных перегибов двойникующие дислокации обладают дальнодействующим упругим полем, что делает важным учет взаимодействия между дислокациями. Последнее, однако, в рамках подхода [236] не учитывается. [7]
Экспериментальные наблюдения двойниковых границ с помощью полевой ионной микроскопии [ 154] показали, что в вольфраме реализуются именно границы отражения, которые нами и исследовались. [8]
Изучение магнитных свойств сдельной двойниковой границы подтвердило ее особые свойства, связанные со сверхпроводимостью. Хорошо видно, что в районе двойниковой границы возникает аномальное распределение диамагнитного момента, которое можно связать с локализованной в этой области сверхпроводимостью. Диамагнитная намагниченность вблизи двойниковой границы на два порядка величины превышает флуктуационную намагниченность в совершенном монокристалле. [10]
Особый случай болыпеугловой границы представляет собой двойниковая граница. Атомы, расположенные в плоскости двойниковой границы, когерентны с каждым из прилегающих зерен ( фиг. [11]
Поскольку скорость и направление движения двойниковой Границы не зависят от знака прикладываемого напряжения, можно заключить [92], что скорость движения двойниковой границы должна зависеть от квадрата приложенного напряжения. [12]
Оказалось, что направление смещения двойниковых границ меняется в. [13]
Во-вторых, реальная ( некогерентная) двойниковая граница содержит обычно плоские скопления двойникующих дислокаций. [14]
![]() |
Фестонистость, возникающая при глубокой штамповке деталей из текстурованного металла. а - алюминий. б - железо. в - латунь. г - томпак. д - медь. [15] |