Двойниковая граница

Cтраница 4

Деформационное поведение поликристаллических образцов сплавов Си - AI - Ni I 45 ]. / И - 82 С. Mf - - 70 С, А - 60 С, Af - 48 С. [46]

Хотя в температурной области ниже точки MS поликристаллических образцов и наблюдается упругая деформация в мар-тенситном состоянии ( см. рис. 2.51, а), но миграция поверхностей раздела между мартенситными фазами или двойниковых границ внутри кристаллов мартенсита происходит с большим трудом, чем в монокристаллических образцах. Можно считать, что причиной этого является [39, 40] взаимное стеснение кристаллических зерен. [47]

Фазовая диаграмма для потенциала. Однопараметрическая. [48]

Особое внимание к фазовым переходам в доменных стенках, проявляемое в последнее время, безусловно связано с открытием высокотемпературной проводимости и указанием [67, 68] на тот факт, что температура фазового перехода в сверхпроводящее состояние в двойниковых границах выше, чем температура такого перехода в объеме материала. Другими словами, доменные или двойниковые границы рассматриваются как естественный фактор, способствующий повышению температуры перехода в сверхпроводящее состояние. [49]

Область двойника и схема его профиля ( А. [50]

Таким образом, хемомехани-ческий эффект в данном случае проявляется в два этапа: химическое растворение поверхности вызывает поток двойникующих дислокаций и рост двойников, а следующее затем механохими-ческое растворение двойников вызывает, поток полных дислокаций, ранее заторможенных на двойниковых границах. По аналогичной методике было также проведено прямое наблюдение хемо-механического эффекта на металлических монокристаллах. [51]

Это значение существенно превышает значение 1 4 Дж / м2 - энергию границы жидкий металл - вакуум для циркония [263], так что в отличие от кальцита в пластичном цирконии полученное значение адв, конечно, не может рассматриваться как поверхностная энергия двойниковой границы, а является, скорее всего именно характеристикой работы по пластическому деформированию скольжением прилегающей к двойнику зоны. [52]

Если не принимать специальные меры при фазовом переходе в ромби -; ческую фазу, то образец оказывается разбитым на большое число пакетов ( или блоков) двойников двух типов ( Грубо говоря, взаимно ортогональ-ной ориентации), и весь объем образца пересекается большим числом диэлектрических прослоек - двойниковых границ. Средние расстояния между границами порядка 1Q2 - 103 Аи значительно меньше размера зерна. [53]

Поверхность пленок РЬТе на слюде при Ти 390 С ( а, 410 С ( б и 420 С ( в при увеличении 15 000. [54]

Исследования [135] структуры пленок, напыленных при разных температурах подложки и постоянной скорости роста 0 5 нм / с, показали, что при температуре подложки 40 - 170 С образуется мелкозернистая структура, при температуре 170 С на поверхности пленки появляются канавки, которые при повышении температуры подложки до 250 С становятся сходными с рассмотренными выше выходами двойниковых границ на поверхность пленки. Помимо этого, на гладких участках пленки при температуре подложки 230 С наблюдаются небольшие треугольные пятна, являющиеся выходами отдельных дислокаций на поверхность пленки. При температуре подложки 250 С эти пятна исчезают. [55]

Поверхность пленок РЬТе на слюде при Тп 390 С ( а, 410 С. [56]

Исследования [135] структуры пленок, напыленных при разных температурах подложкц и постоянной скорости роста 0 5 нм / с, показали, что при температуре подложки 40 - 170 С образуется мелкозернистая структура, при температуре 170 С на поверхности пленки появляются канавки, которые при повышении температуры подложки до 250 С становятся сходными с рассмотренными выше выходами двойниковых границ на поверхность пленки. Помимо этого, на гладких участках пленки при температуре подложки 230 С наблюдаются небольшие треугольные пятна, являющиеся выходами отдельных дислокаций на поверхность пленки. При температуре подложки 250 С эти пятна исчезают. [57]

Идеализированная атомная структура в плоскости ( 001 вблизи двойниковой границы ( ПО. Для сравнения атомной структуры на границе и в объеме штриховыми решетками очерчены элементарные ячейки в этих областях решетки. [58]

Анализ этой идеализированной структуры ( рис. 9.8) приводит к выводу, что в тетрагональной фазе атомы меди располагаются непосредственно в плоскости двойниковой границы, а пары атомов кислорода и кислородных вакансий, принадлежащих одной элементарной ячейке, располагаются по разные стороны плоскости границы двойникования, В результате взаимное расположение основных элементов 1 - 2 - 3 в двойниковой границе отличается от их расположения в идеальном монокристалле. [59]

Двойниковая граница содержит один слой атомов, упакованный в соответствии со структурой плоскости базиса в гексагонально плотноупакован-ных кристаллах. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5