Двойниковая граница

Cтраница 3

После этого производится усреднение положений атомов двух структур, и такая усредненная модель приписывается двойниковой границе. Однако, как показал последующий анализ, такой прямой метод не всегда приводит к правильной модели. Поэтому полностью когерентный переход от одного двойникового индивида к другому осуществляется именно через эти два атома. Поэтому бразильская граница является энергетически почти равноценной монокристаллу. [31]

Кристаллографическая ориентация произвольная, на крупных монокристаллах ( масса более 6 г) допускается наличие двойниковых границ. [32]

Таким образом, приложение внешнего упругого поля к кристаллам Y-Ba-Cu - О, приводящее к увеличению площади двойниковых границ, ведет к интенсификации пиннинга, а гем самым и к увеличению / к. Обнаружено почти двухкратное увеличение критического тока при изменении давления на 7 кбар. [33]

Это различие связано с тем, что если при упругом двойниковании движущей силой процесса является поверхностное натяжение двойниковой границы, то в случае резиноподобного поведения движущая сила процесса - различие свободных энергий двойника и материнского кристалла. [34]

Если изменение ориентации неподвижной части границы связано с достаточно большим вращающим моментом ( например, в случае двойниковой границы), то граница не перемещается. Поэтому можно определить величину вращающего момента, измеряя минимальное значение а, при котором начинается смещение границы. Преимуществом такого рода измерений является то, что не нужно ждать, пока установится геометрическое равновесие, а величину вращающих моментов можно измерять при низких гомологических температурах. [35]

В качестве одной из этих фаз, по-видимому, может рассматриваться и псевдодвойниковая, возникающая при быстром перемещении двойниковой границы. [36]

Эти напряжения могут быть оценены следующим образом: а - адв / ггр ( адв - поверхностная энергия двойниковой границы, ггр - физическая толщина границы; согласно результатам гл. Как и в случае образования полных дислокаций вблизи ступенек на поверхности [239], суммарные напряжения могут приближаться к теоретической прочности. Такой источник обеспечит нужное для движения границы число дислокаций. [37]

Сравнение результатов моделирования когерентной двойниковой границы с таковыми для больше угловой специальной границы зерна [140] показывает, что атомная структура двойниковой границы ( простейшего случая болынеугловой границы зерен с S 3) носит достаточно универсальный характер и имеет большое сходство с определенными типами болыыеугловых межзеренных границ. Но хотя, формально двойники являются лишь одним из частных случаев разориентации соседних областей решетки, структура и свойства двойниковых границ таковы, что на них возможно образование дислокационных скоплений, перемещение которых и приводит к реализации двойникования как особого типа пластической деформации. [38]

Поскольку скорость и направление движения двойниковой Границы не зависят от знака прикладываемого напряжения, можно заключить [92], что скорость движения двойниковой границы должна зависеть от квадрата приложенного напряжения. [39]

Как и в случае олова, не было получено никаких данных, которые свидетельствовали бы о том, что при распространении двойниковой границы важную роль играет полюсный механизм. [40]

Фронт двойника, образованный последовательно скользящими в каждой плоскости частичными дислокациями ( см. рис. 83, а) можно рассматривать как двойниковую границу, составленную из частичных дислокаций. Такая конфигурация имеет дальнодействующее поле напряжений. [41]

Идеализированная атомная структура в плоскости ( 001 вблизи двойниковой границы ( ПО. Для сравнения атомной структуры на границе и в объеме штриховыми решетками очерчены элементарные ячейки в этих областях решетки. [42]

Анализ этой идеализированной структуры ( рис. 9.8) приводит к выводу, что в тетрагональной фазе атомы меди располагаются непосредственно в плоскости двойниковой границы, а пары атомов кислорода и кислородных вакансий, принадлежащих одной элементарной ячейке, располагаются по разные стороны плоскости границы двойникования, В результате взаимное расположение основных элементов 1 - 2 - 3 в двойниковой границе отличается от их расположения в идеальном монокристалле. [43]

При анализе формы ступеньки, восстановленной по электронно-микроскопическим данным [221] ( рис. 4.11), обращает на себя внимание разная степень искажения поверхности ц районе выхода двойниковых границ на поверхность кристалла. Поскольку с точки зрения теории упругости условия в точках выхода двойника на поверхность эквивалентны, экспериментально наблюдаемые различия в рельефе поверхности объясняются существенной ролью сил поверхностного натяжения соответствующих границ. Невозможность значительного перемещения участков поверхности вблизи контакта границ приводит к появлению больших упругих напряжений. [44]

Многочисленные места зарождения аустенита с низкой энергией активации процесса зарождения могут быть созданы в мартенсите или при пластической деформации, или в результате старения, например при выделении карбидов на двойниковых границах. Это обеспечивает увеличение числа мест зарождения, и, кроме того, закрепленные карбидами границы двойников ограничивают разрастание областей аустенита. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5