Двойниковая граница

Cтраница 2

Присутствие дефектов упаковки, как и двойниковых границ, существенно влияет на упрочнение, препятствуя перемещению дислокаций. [16]

Акцентирование внимания на исследовании атомной структуры двойниковой границы оправдано тем, что такая граница, с одной стороны, может рассматриваться как простейший пример границы раздела фаз, а с другой - как простейший случай большеугло-вой границы зерен. [17]

Представление некогерентной границы остаточного двойника в виде плоского скопления двойникующих дислокаций. [18]

Поскольку нижняя поверхность кристалла в районе выхода двойниковой границы образует вогнутость, то напряжения ас ( х), которые мы представим в виде ас адв / с ( х), будут препятствовать выходу дислокаций из кристалла, поскольку такой выход приводит к необратимому изменению формы поверхности и к увеличению ее площади. Как показали электронно-микроскопические измерения ( см. § 4.5), форма поверхности в районах д: 0 и х d разная, так что напряжения в этих районах, по-видимому, отличаются не только по знаку, но и по модулю. [19]

Можно ожидать, что основные закономерности атомной структуры двойниковых границ и ядер двойникующих дислокаций имеют место и в случае межфазных границ и ядер дислокаций превращения. [20]

Таким образом, предложенная модель зарождения у-фазы на двойниковых границах при ускоренном нагреве может объяснить экспериментальный факт существования после цикла у - а-у превращения восстановленной, двойниковой и других ограниченных ориентировок у-фазы в сплавах с частично двойникованным мартенситом. [21]

Идеализированная атомная структура в плоскости ( 001 вблизи двойниковой границы ( ПО. Для сравнения атомной структуры на границе и в объеме штриховыми решетками очерчены элементарные ячейки в этих областях решетки. [22]

При переходе объемной части кристалла в сверхпроводящую ромбическую фазу двойниковая граница по предположению [506, 507] остается не ромбической. [23]

Гораздо чаще встречается дефект, нарушающий монокристаллический рост полупроводников, называемый двойниковой границей, или двойником. Легкость возникновения двойников обусловлена малой величиной энергии, необходимой для создания когерентной границы между двумя областями кристалла, имеющими различную ориентацию. [24]

Это связано с тем обстоятельством, что плоскостью скольжения двойникующей дислокации является двойниковая граница; нарушение правильного положения атомов на такой границе, возникающее при смещении центра дислокации из энергетического минимума, вызывает существенное повышение энергии системы. [25]

В [ 76J был предложен следующий механизм размножения дефектов при многократном возвратно-поступательном перемещении двойниковой границы через покоящуюся полную дислокацию. Многократное включение полной дислокации поочередно то в двойник, то в материнский кристалл приводит к размножению дефектов. [26]

Зависимость энергии атомов от расстояния до когерентной двойниковой границы (. ф - энергия атома вдали от границы двойника. Плоскость границы соответствует координате г О.| Распределение смещений атомов вблизи когерентной двойниковой границы ( иф -. смещение атома вдали от границы двойника. За исходные положения атомов приняты их позиции в начальной конфигурации при наличии геометрически-резкой границы. [27]

Оценка работы двойникования по экспериментальным данным Гар-бера привела Владимирского [84] к выводу, что двойниковая граница в кальциЖ должна быть атомно-резкой. [28]

Можно воспользоваться этим приемом, давно известным в макроскопической кристаллографии, для построения модели двойниковой границы на микроскопическом уровне. Для того, чтобы граница была когерентна, необходимо, чтобы левая структура кварца переходила в правую через пограничные атомы кислорода. [29]

Три варианта бразильских двойников в проекции на плоскость ху. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5