Cтраница 1
Диффузия примесных атомов в решетке графита ( если примеси образуют твердый раствор) к поверхности пор. [1]
При диффузии примесных атомов по вакансиям одновременно протекает процесс самодиффузии. Однако этот процесс идет значительно медленнее, так как химическая связь между атомами вещества сильнее связи примесных атомов с решеткой. [2]
Скорость диффузии примесных атомов в металлах и полупроводниках обратно пропорциональна их растворимости. Если атомы растворителя и растворенного вещества идентичны, то примесь проникает в кристаллическую решетку в основном по вакансиям, замещая узлы растворителя. В результате образуется твердый раствор замещения и примесные атомы имеют большую растворимость. В том случае, когда атомы разнородны и растворяемый атом не может замещать узел или не может удержаться там вследствие слабой химической связи, диффузия идет в основном по междуузлиям. Это более быстрый механизм, но в междуузельном пространстве может разместиться гораздо меньшее число атомов, чем в вакансиях, что обусловливает малую растворимость. Поэтому можно полагать, что в полупроводниках типа кремния элементы III группы ( таблицы Менделеева) лучше растворимы, чем элементы II группы, которые, в свою очередь, обладают большей растворимостью, чем элементы I группы. Внутри группы максимальной растворимостью обладают более легкие элементы. [3]
Скорость диффузии примесных атомов характеризуется коэффициентом диффузии, который определяется количеством атомов вещества, проникающего через единичную площадку за единицу времени при градиенте концентрации, равном единице, и имеет размерность м / сек. [4]
Механизм диффузии примесных атомов в кристаллической решетке при изменении температуры и концентрации примеси может изменяться. В промежуточной переходной области возможна диффузия по обоим механизмам. [5]
Для учета влияния диффузии примесных атомов под край маскирующего оксида, а также растравливания оксида и ошибок, вносимых в процессе проведения фотолитографии, при составлении топологической схемы все элементы биполярной ИМС, кроме контактных площадок, необходимо размещать на расстоянии от края вскрытого окна под изолирующую диффузию, примерно равном удвоенной толщине эпитаксиального слоя. [6]
Предполагая, что механизм диффузии примесных атомов замещения не отличается от рассмотренного в разд. [7]
Рассмотрим, например, диффузию примесных атомов кальция в кристаллах NaCl. Имеем, таким образом, в решетке два связанных дефекта с эффективными зарядами е и - е: Са а и VNa; при этом всякое перемещение VNa должно сопровождаться перемещением Ca-Na. Из-за наличия эффективного заряда - е перемещение V вызывает появление локального электрического поля, которое препятствует диффузии, а независимое перемещение ионов кальция в решетке NaCl невозможно. [8]
Вдоль ядра дислокации фактически наблюдается ускоренная диффузия примесных атомов. [9]
Выражение (5.3) справедливо для процессов самодиффузии и диффузии примесных атомов как по вакансиям, так и по междоузлиям кристаллической решетки. [10]
Таким образом, внешнее статическое напряжение вызывает диффузию примесных атомов по дислокационной трубке, что приводит к увеличению Lc более длинных сегментов за счет коротких. [11]
Кроме того, его использовали для определения коэффициентов диффузии примесных атомов в кристаллах [68] методом последовательного снятия слоев. [12]
Первая стадия деформационного старения в стали определяется соотношением скоростей диффузии примесных атомов, обусловливающих старение, и притоками свежих дислокаций под действием деформации. Если поступление свежих дислокаций значительно превышает диффузионную способность примесных атомов при возникающем структурном состоянии, то часть их оказывается избыточной и может вступать в дислокационные реакции, в частности, аннигилировать. В этом случае создаются благоприятные условия для протекания первой стадии старения, которая сопровождается увеличением предела текучести, а также снижением деформации на площади текучести и температуры перехода к хрупкому состоянию. [13]
В работе [66] приводятся результаты исследования влияния дефектов на диффузию примесных атомов индия в ZnO; авторы показали, что скорость диффузии, определяющая выделение свободного индия, пропорциональна ро. [14]
Как показано в § 3.2, физическая причина ориентационной анизотропии состоит в стабилизации ориентации вектора U путем диффузии примесных атомов или других дефектов решетки. Понятно, что эта же причина должна приводить и к стабилизации положения доменной границы в образце путем стабилизации вектора Ь в каждом участке самой доменной границы. При движении доменной границы этот процесс должен вызывать вязкостные эффекты с характерным временем диффузии. [15]