Диффузия - примесный атом
Cтраница 4
Это означает, что при формировании любой из областей транзисторной структуры примесные атомы диффундируют не только в глубь исходной полупроводниковой подложки, но и в боковых направлениях. Поскольку при формировании полупроводниковой ИМС подложка неоднократно подвергается высокотемпературной обработке, действительные площади эмиттерной, базовой и коллекторной областей будут несколько превышать площади вскрытых окон, через которые проводилась диффузия. Эффект боковой диффузии показан на рис. 2.18 для случая диффузии примесных атомов из неограниченного ( а) и ограничен-ного ( б) источников. Q l, то глубина диффузии в боковом направлении в обоих случаях составляет более 75 % от глубины диффузии в вертикальном направлении. Поэтому с учетом воздействия обоих отмеченных факторов вокруг контактных окон в маске из двуокиси кремния оставляют зазоры размером 5 - 6 5 мкм. [46]
Измерить коэффициент диффузии в твердом теле довольно трудно. Почти всегда значения D малы, особенно при низких температурах, поэтому расстояния, на которые диффундируют атомы, невелики. Хорошие результаты дает метод меченых атомов, используемый для исследования как диффузии примесных атомов, так и самодиффузии; неплохие результаты удается получить и с помощью некоторых других методов. Рассмотрим несколько примеров измерения диффузии в твердой фазе и сравним эксперимент с теорией. [47]
 |
Микроструктура околошовной зоны сварных соединений низкоуглеродистых сталей Х7500. [48] |
При малых временах процесса в высокодефектном мелкозернистом металле имеется большая вероятность сохранения значительного количества дефектов в теле зерна, что должно существенно снизить эффект образования замкнутых сегрегации и карбидных частиц на границах. Но в то же время высокий уровень избыточной свободной энергии в зерне в этих случаях должен способствовать росту зерен. В исходном же крупнозернистом металле существеннее будет роль высокотемпературного стока дефектов и диффузии примесных атомов, поэтому судить однозначно о влиянии размера исходного зерна стали на склонность к ножевой коррозии в настоящий момент затруднительно. Но однозначно можно утверждать, что она будет больше в той стали, где был больший рост зерен. Межкристаллитной коррозии более подвержен крупнозернистый металл. Положительная роль ферритных прослоек в аустенитных сталях состоит в рассредоточении углерода благодаря увеличению площади границ, торможению их миграции, а также в повышенном растворении карбидо-образователей: хрома, титана, ниобия и др. Превращение у - а идет с изменением объема элементарной кристаллической ячейки, в связи с чем резко возрастает плотность дислокаций у границ со стороны аустенита, поэтому при ножевой коррозии, межкристаллитное разрушение в азотной кислоте идет вдоль поверхности а / у по аустениту. [49]
На стадии / / процесс протекает при постоянном внешнем давлении, и развитие физического контакта происходит вследствие ползучести металла при таком уровне напряжений, когда не происходит отрыва дислокаций от облаков примесных атомов. Энергия активации процесса развития физического контакта на стадии / / для армко-железа, титана и других металлов хорошо совпадает с энергией активации диффузии примесных атомов в матрице. Существенно влияют на прохождение процесса в стадии / / температура и время. С ростом температуры процесс развития физического контакта интенсифицируется. [50]
 |
Вид под микроскопом ямок травления на поверхности ( 0001 монокристалла CdS при 300-кратном увеличении ( травитель - раствор HCl ZnC. 2. [51] |
Такой способ выявления дислокаций носит название декорирования. Для осуществления его обычно тем или иным путем достигают перз-сыщения кристалла точечными дефектами. Так, декорирование дислокаций и межблочных границ в активированных щелочно-га-лоидных кристаллах NaCl-5 - 10 - 3РЬС12 и KCl-AgCl ( см. рис. 56) может быть проведено [50] путем их отжига при температурах, достаточно низких, чтобы система оказалась пересыщенной активатором, и достаточно высоких, чтобы диффузия примесных атомов не была слишком замедлена. [52]
Атомы этих элементов быстро диффундируют в германий и из него, двигаясь по междоузлиям. Однако внедрение преимущественно происходит в нормальные узлы решетки. При осаждении атомы меди и никеля двигаются по узлам решетки, оставляя за собой вакансии, которые в свою очередь аннигилируют путем диффузии. Скорость диффузии вакансий гораздо меньше скорости диффузии примесных атомов, в результате чего может возникнуть высокая неравновесная плотность вакансий. [53]
Такие поля вызывают диффузию не только ионов, но и электронов. Трудности, связанные с ассоциацией дефектов, возникают при объяснении диффузии примесных атомов в металлах. [54]
Развитие современной физики и техники ставит все новые задачи перед исследователями, К числу актуальных проблем относится и статистическое описание процессов изменения магнитного момента ферромагнетика. В настоящее время эту задачу еще нельзя считать полностью решенной, хотя здесь и достигнуты определенные успехи. Наибольший интерес, на наш взгляд, представляет анализ процессов шумообразования, и в особенности, процессов возникновения фликкерных шумов. Еще до конца не исследовано влияние диффузионных процессов в ферромагнитном материале на статистические характеристики движущейся междоменной границы, хотя из качественных соображений следует, что роль диффузии примесных атомов может быть значительной. Большой интерес и важное практическое значение представляет продолжение поиска новых малошумящих ферромагнитных материалов. [55]
Как физик-теоретик Я. И. Френкель был всемирно известен. По широте научной тематики и количеству опубликованных научных работ и монографий он не имеет себе равных. Ему принадлежат исследования по самым различным вопросам теории атомного ядра и элементарных частиц, по электронной теории металлов и сверхпроводимости, физике диэлектриков и полупроводников, теории диффузии примесных атомов и дефектов в кристаллах, теории колебаний кристаллических решеток, термодинамике и статистической физике, оптике твердых тел, теории атмосферного электричества и шаровой молнии, квантовой химии и теории молекул и по многим другим вопросам, которые трудно даже перечислить. Мне кажется, что самыми существенными вкладами в науку являются развитая им теория жидкостей и введенное им в физику понятие экситона: френкелевская модель экситона и созданная им теория этой квазичастицы навсегда вошли в физику. [56]
 |
Структура диффузионного резистора, применяемая для увеличения номинального значения сопротивления резистора, отнесенного к единице длины ( пинч-ре-зистор. [57] |
Таким образом, можно заключить, что максимальное номинальное значение сопротивления резистора зависит от отношения длины к ширине резистивной полоски, которое в свою очередь зависит от наличия свободной площади на исходной подложке. Способ увеличения номинального значения сопротивления резистора, занимающего определенную площадь на подложке, иллюстрируется рис. 2.31. В резистивную полоску р-типа проводят диффузию примеси и-типа. Резистивная область оказывается ограниченной двумя p - n - переходами, каждый из которых должен быть смещен в обратном направлении. Следовательно, сечение проводящего слоя резистора при этом уменьшается. Диффузию примесных атомов, формирующих n - слой, удобно совмещать с диффузией, в процессе которой изготовляется эмиттерная область транзистора. Такой резистивный элемент называют пинч-резистором. Поэтому такие конфигурации резисторов могут применяться только в случаях, если допустимые отклонения от их номиналов не оказывают отрицательного влияния на работу схемы в целом. [58]
Страницы: 1 2 3 4