Диффузия - примесный атом
Cтраница 3
Взаимодействие между дефектами рассмотрено в разделе VIII. Там было показано, что в галогенидах щелочных металлов диффузия примесных атомов через нормальные узлы решетки происходит только тогда, когда вакансии расположены вблизи примесных атомов. [31]
 |
Конструкция сплавного транзистора.| Конструкция поверхностно-барьерного транзистора.| Конструкция диффузионно-сплавного транзистора. [32] |
Дальнейшее повышение частотного предела транзистора достигается созданием в области базы продольного электрического поля путем неравномерного ее легирования ( см. стр. Переменную концентрацию примесей создают главным образом с помощью процесса диффузии примесных атомов из газообразной или жидкой фазы внутрь объема полупроводника. Поэтому транзисторы, изготовленные путем диффузии легирующих примесей, часто называются диффузионными, хотя по принципу де4 - ствия они являются дрейфовыми. [33]
IV отмечалось, что исследование процесса диффузии примеси в соединениях может позволить установить природу преобладающих дефектов. Для этого необходимо определить, как изменяется скорость самодиффузии или диффузии примесных атомов в кристаллах, изготовленных в разных условиях. [34]
Наиболее сложными являются релаксационные механизмы магнитной вязкости. В качестве примера рассмотрим один из сравнительно хорошо изученных вязкостных процессов, обусловленный диффузией примесных атомов в решетке кристалла. [35]
Несмотря на то что значения энергии активации динамического деформационного старения, полученные различными исследователями разными методами, значительно разнятся, они все же во всех случаях оказываются близки энергии активации диффузии атомов углерода и азота в а-железе. Это еще раз подтверждает, что динамическое деформационное старение обусловлено взаимодействием между дислокациями и примесными атомами азота и углерода и что контролирует его диффузия примесных атомов к дислокациям. [36]
Для протекания динамического деформационного старения указанные условия необходимы, но недостаточны. Это условие выполняется лишь при пластической деформации стали с определенной для данного интервала температур скоростью деформирования, когда скорость движения дислокаций соизмерима со скоростью диффузии примесных атомов. [37]
На основании изложенного можно заключить, что в процессе изготовления биполярных ИМС различные свойства применяемых материалов сочетают так, чтобы можно было избирательно формировать р-п-переходы, выполняющие функции элементов схемы и обеспечивающие надежную изоляцию, а также соответствующие полупроводниковые и металлические слои, выполняющие роль контактных площадок, проводников и пассивных элементов. Решение всех этих задач обеспечивается с помощью определенной последовательности технологических процессов, включающей в себя чередующиеся операции химической обработки поверхности, эпитаксиального наращивания слоев кремния, термического окисления, маскирования поверхности фоторезистом, диффузии примесных атомов для получения слоев с электропроводимостью р - и n - типов, металлизации, нанесения защитного слоя. [38]
В общем, скорость диффузии примесей внедрения значительно выше, чем скорость самодиффузии молибдена. Но при одном и том же количестве второй фазы в молибдене по мере коагуляции частиц пути диффузии между ними увеличиваются, градиент концентрации примеси внедрения между большими и малыми частицами падает, что приводит к уменьшению скорости диффузии примесных атомов. [39]
 |
Схема зависимости напряжения. [40] |
В области средних температур, от 0 25 до 0 5 Гпл, К, быстрый спад напряжения с увеличением температуры переходит в плато или даже в горб, вызываемый б деформационным старением. Максимумы этого горба, если не учитывать металлы 1а группы ( Na, Ni, К), выражены наиболее сильно у металлов с решеткой о. Природу этой аномалии связывают с конкуренцией скоростей диффузии примесных атомов и движения дислокаций. У сплавов аналогичные аномалии могут быть обусловлены механизмами Сузуки, а при более высоких температурах - наличием ближнего порядка. [41]
В заключение следует отметить, что изменение температуры окружающей среды и температуры продукта перекачки, как показывают полученные результаты, влияет на структуру и свойства металла труб СГС. В частности, снижение температуры до - 40 С уменьшает ударную вязкость в два раза. Повышенная температура ( 400 С) увеличивает диффузию примесных атомов и ускоряет деформационное старение трубных сталей. При этой температуре в сталях происходит перегруппировка дислокации, уменьшение плотности дислокации и микродефектов, часть вакансий уходит на границы зерен, а часть вакансий и междоузельных атомов поглощается дислокациями. [42]
 |
Установка для выращивания монокристаллов из расплава. [43] |
Дислокации, да и сами границы зерен действуют и как центры рассеяния подвижности электронов, и как центры рекомбинации. Вместе с тем от совершенства кристаллической решетки зависит диффузия примесных атомов, равномерность их распределения. Поскольку дефекты структуры оказывают преимущественно акцепторное действие, германий и кремний высшей чистоты чаще всего обладают р-про-водимостью. [44]
 |
Конфигурации транзисторов ИМС. а-однополосковая. б-д-двухбазовые полосковые. [45] |
Страницы: 1 2 3 4