Диффузия - примесный атом
Cтраница 2
Как показано в § 3.2, физическая причина ориентационной анизотропии состоит в стабилизации ориентации вектора ls путем диффузии примесных атомов или других дефектов решетки. Понятно, что эта же причина должна приводить и к стабилизации положения доменной границы в образце путем стабилизации вектора Ь в каждом участке самой доменной границы. При движении доменной границы этот процесс должен вызывать вязкостные эффекты с характерным временем диффузии. [16]
 |
Электронные микрофотографии, снятые с образцов стали ОХ18Н10Ш ( при печати уменьшено на 4 / 5. [17] |
Процесс выделения дисперсных частиц в состаренной стали сопровождается значительными изменениями в решетке твердого раствора, обусловленными как диффузией примесных атомов, так и самим механизмом выделения новой фазы. [18]
В большинстве случаев наибольшую опасность представляют остаточные напряжения растяжения, облегчающие развитие приповерхностных трещин, проникновение молекул окружающей среды в устье микротрещины и ускоряющие диффузию примесных атомов. [19]
Гравитационное поле ( поле силы тяжести) формирует анизотропию физических свойств материалов МН, влияет на распределение дефектов в сплавах и лежит в основе явления диффузии примесных атомов в кристаллической решетке, создавая в материале области различной концентрации примесей. В условиях, когда действие гравитации ослаблено ( невесомость), можно получить материалы со структурой, близкой к идеальной. [20]
В большинстве случаев, как известно, наибольшую опасность представляют остаточные напряжения растяжения, облегчающие развитие поверхностных трещин, проникновение молекул окружающей среды в устье микротрещины и ускоряющие диффузию примесных атомов. Как правило, толщина легируемого слоя значительно меньше толщины образца ( детали), и с хорошей степенью точности можно считать применимой при анализе схему плосконапряженного состояния поверхности. Имплантированный ион раздвигает соседние атомы; появление радиационных дефектов ( вакансий, междоузельных атомов) в большинстве металлов приводит к напряжениям сжатия. Эпюра напряжений при небольших дозах легирования практически повторяет кривую распределения легирующей примеси, однако увеличение напряжений ограничено пределом текучести металла. При увеличении дозы имплантации выше критической происходит снятие напряжений за счет пластического течения. Эпюра остаточных напряжений приобретает платообразный вид с постепенным выходом максимума напряжений на поверхность. [21]
В большинстве случаев, как известно, наибольшую опасность представляют остаточные напряжения растяжения, облегчающие развитие поверхностных трещин, проникновение молекул окружающей среды в устье микротрещины и ускоряющие диффузию примесных атомов. Как правило, толщина легируемого слоя значительно меньше толщины образца ( детали), и с хорошей степенью точности можно считать применимой при анализе схему плосконапряженного состояния поверхности. Имплантированный ион раздвигает соседние атомы; появление радиационных дефектов ( вакансий, междоузельных атомов) в большинстве металлов приводит к напряжениям сжатия. Эпюра напряжений при небольших дозах легирования практически повторяет кривую распределения легирующей примеси, однако увеличение напряжений ограничено пределом текучести металла. При увеличении дозы имплантации выше критической происходит снятие напряжений за счет пластического течения. Эпюра остаточных напряжений приобретает платообразный вид с постепенным выходом максимума напряжений на поверхность. [22]
Располагая экспериментальными данными о температуре динамического деформационного старения для двух различных скоростей деформирования, по уравнению Коттрелла - Харпера [284] при прочих равных условиях можно оценить или плотность дислокаций, или коэффициенты диффузии примесных атомов, или время процесса. [23]
Эти свойства наряду с возможностью создания готовых изделий сложной формы и с присущей углероду химической инертностью открывают широкие возможности для применения етеклоугларода в качестве посуды для производства полупроводниковых материалов, оптических монокристаллов, металлов и сплавов, а также деталей аппаратуры для особо агрессивных сред. Наличие закрытой пористости затрудняет диффузию примесных атомов в обрабатываемый материал из стеклоуглеродной посуды. Сочетание химической стойкости со стабильной удельной поверхностью и относительно низким удельным электрическим сопротивлением вызывает интерес к использованию стеклоуглерода в электрохимии, в том числе взамен платиновых электродов. Положительные результаты были получены, в частности, при применении стеклоуглерода в качестве электродов в хлоридных и криолито-глпноземных расплавах, в смеси хлоридов и фторидов щелочных металлов в среде аргона, водорода, хлора, хлористого водорода, смеси Н2 НС1 при температурах до 1000 С. [24]
Когда возникает механическое напряжение, то измененный порядок может оказаться более выгодным энергетически. Это превращение происходит в результате диффузии примесных атомов. [25]
 |
Схемы механизмов протекания диффузии. [26] |
Реализация того или иного механизма протекания диффузии определяется кристаллическим строением вещества и типом дефектов его кристаллической решетки. Так, доказано, что основным механизмом диффузии примесных атомов в твердых растворах замещения является вакансионный, а в твердых растворах внедрения - межузельный. [27]
Резонансные эффекты возбуждения локальных мод колебаний в поверхностных слоях кремния исследованы еше недостаточно. Павлович [285] указывает на поверхность управления скоростью диффузии примесных атомов в кристалле, возбуждением их колебательных мод. В пионерских работах [286, 287] высказывался определенный оптимизм относительно возможности селективного управления адсорбционными и каталитическими процессами на поверхности резонансным возбуждением колебательных мод адсорбционных комплексов при воздействии на поверхность интенсивного когерентного ИК-излучения. [28]
 |
Зависимость энергии взаимодействия Un ( х и коэффициента диф.| Зависимость скорости движения границы v от движущей силы р при разных концентрациях примеси ( С С2С3 [ 15. [29] |
Из-за этого Примеси концентрируются возле границы и образуют атмосферу, которая перемещается вслед за границей, причем скорость движения границы уменьшается. При высоких концентрациях примеси эта скорость контролируется диффузией примесных атомов. С уменьшением их концентрации скорость движения границы увеличивается. Если скорость превышает некоторое критическое значение, атомы примеси не могут более перемещаться вместе с границей зерен, и она отрывается от своей примесной атмосферы. [30]
Страницы: 1 2 3 4