Грань - кристалл
Cтраница 2
Каждая грань кристалла представляет собой плоскость, на которой располагаются атомы. На рис. 56 изображен кристалл NaCl и его атомная структура. Когда кристалл растет от а к б, то все грани передвигаются параллельно самим себе, так как на них откладываются все новые и новые слои атомов. По этой причине параллельно каждой грани в структуре кристалла располагается огромное количество атом-ных плоскостей, которые когда-то в начальных стадиях роста тоже располагались на гранях кристалла, но в процессе роста оказались внутри него. [16]
 |
Кристаллическая решетка и кристаллический многогранник. [17] |
Каждой грани кристалла в кристаллической решетке отвечает серия параллельных плоских сеток. Число параллельных плоских сеток в этой серии бесконечно, так же как бесконечно и число серий, ибо через любые три узла решетки можно провести плоскую сетку, а параллельно ей - бесконечное число таких же плоских сеток. [18]
Обычно грани кристаллов описывают обратными величинами кратных отношений стандартных отрезков; отсюда возникает другое название-закон рациональных индексов. На рис. 9 - 7 три линии, выбранные в качестве осей, могут быть также ребрами кристалла. Рассматриваемая грань ABC отсекает на этих осях отрезки а, Ь, с. [19]
 |
Габитус кристалла.| Рост кристалла аммоний-магний-сульфата в последовательные. [20] |
Когда грань кристалла растет очень быстро, она может исчезнуть совсем - это проиллюстрировано рис. 1.2, где показаны контуры кристалла в последовательные интервалы времени. Быстрорастущая грань в конце концов перекрывается, поглощается своими медленно растущими соседями и исчезает. На самом деле, если кристалл растет все время при одних и тех же условиях, грань не появляется совсем. [21]
Рассмотрим грань кристалла с целиком заполненным молекулами наружным слоем. Посмотрим, что будет происходить, если следующий слой образуется путем переноса молекул с грани бесконечно большого кристалла. Если рассматриваемая грань велика, то термодинамическая работа переноса для большинства молекул равна нулю, поскольку энергия связи этих молекул с гранью данного кристалла равна энергии связи на грани бесконечно большого кристалла. Следовательно, чтобы вызвать перенос этих молекул, должна быть затрачена положительная работа. Отсюда средняя работа ( суммарная работа переноса, деленная на общее число молекул) для переноса полного слоя будет иметь небольшую положительную величину. Поверхностный химический потенциал ic - im равен этой средней работе на молекулу. [22]
Все грани кристаллов микроклина хорошо сохранились и являются чрезвычайно чистыми. Довольно мощные пластинки, разделенные по спай ности, прозрачны почти, как вода. Ядро окаймлено со всех сторон обычным альбит-кварцевым прорастанием, которое переполнено здесь мелким турмалином, в то время как кварцевое ядро не содержит турмалина. [23]
Все грани кристалла могут быть описаны и численно охарактеризованы через величины соответствующих отрезков на осях. Оси, о которых идет речь, являются кристаллографическими ( обычно их три) и выбираются произвольно. Одна или более из этих осей могут быть осями симметрии или параллельными им, но кристаллографическими осями могут служить и три ребра кристалла. Простейшим вариантом является взаимная перпендикулярность осей, однако это не всегда осуществимо. Для описания некоторых кристаллов требуется выбирать четыре оси. [24]
Каждая грань кристалла представляет собой плоскость, па которой располагаются атомы. На рис. 56 изображен кристалл NaCl и его атомная структура. Когда кристалл растет от а к б, то все грани передвигаются параллельно самим себе, так как на них откладываются все новые и новые слои атомов. [26]
 |
Схема модулятора света с ячейкой Керра.| Схема модулятора света на эффекте Фарадея. [27] |
На грани кристалла для подключения модулирующего напряжения наносятся ( методом напыления) решетчатые электроды. [28]
На грань кристалла никеля падает под углом 64 к поверхности грани параллельный пучок электронов, движущихся с одинаковой скоростью. Принимая расстояние между атомными плоскостями кристалла равным 200 пм, определить скорость электронов, если они испытывают интерференционное отражение первого порядка. [29]
Если грани кристалла растут с постоянными скоростями ( или постоянными относительными скоростями), то форма кристалла будет оставаться геометрически подобной. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5