Cтраница 5
Малое количество граней кристалла затрудняет определение его класса. [61]
Особенности рельефа грани кристалла непосредственно связаны с особенностями его роста. Если на грани расположена одна хорошо развитая спираль, это означает, что в образовании кристалла участвовала одна активная дислокация. В формировании кристалла часто участвуют две, три и более дислокаций. Соответственно на поверхности кристалла образуются несколько спиралей; при этом они видоизменяются определенным образом в зависимости от взаимного расположения, знака и вектора Бюргерса дислокаций. На рис. 5 показан пример объединения двух спиралей одного знака с гиперболической кривой пересечения, а на рис. 6 - примеры объединения трех по-разному расположенных и почти одинаково развитых спиралей одного знака. При взаимодействии дислокаций разных знаков на поверхности кристалла образуются замкнутые петли. На рис. 7 показано образование своеобразных петель из пяти пар разноименных дислокаций. [62]
Скоростью роста грани кристалла называют величину смещения в единицу времени в направлении, перпендикулярном плоскости грани или параллельно самой себе. [63]
Рассмотрим часть грани кристалла. Расположение атомов в кристалле таково, что каждый атом окружен определенным образом расположенными другими атомами. Минимальное расстояние между эквивалентными точками а называется периодом решетки. [64]
Скорость роста грани кристалла определялась путем микрофотографирования через определенные промежутки времени растущего кристалла, неподвижно закрепленного в термостатированном сосуде, заполненном растворами с определенной степенью переохлаждения. Перемешивание раствора в сосуде строго стабилизировалось. Раствор для выращивания кристалла приготавливался отдельно сразу для всей серии опытов, что гарантировало его идентичность во всех опытах. [65]