Грань - кристалл
Cтраница 3
Выявление граней кристаллов очень важно в металлографии, когда требуется при помощи травления обнаружить зернистую структуру шлифов некоторых довольно чистых металлов. Травление часто создает на различных зернах уступчатые маленькие грани ( фасетки), определяемые ориентировкой группы атомов, и поэтому, когда шлиф рассматривается под микроскопом, некоторые зерна кажутся светлыми ( с такой ориентировкой, что свет отражается и попадает в тубус микроскопа), в то время как другие остаются темными. [31]
Развитие граней кристалла в значительной степени зависит от условий его роста. Температура, скорость роста, интенсивность перемешивания, наличие примесей играют важную роль в формировании кристалла. [32]
На атомногладкой грани кристалла его рост происходит путем образования двумерного критич. Возникновение двумерного зародыша требует определенного перенапряжения т, связанного с возникновением новой пов-сти - ступени роста и, соотв. [33]
Рассмотрим полностью застроенную грань кристалла, в которой заняты все позиции решетки. Затем удалим несколько молекул из поверхностного слоя и разместим их случайным образом в следующем внешнем слое, так чтобы они заняли положения адсорбции. Такой процесс должен быть эндотермическим ( Д положительна), поскольку должно быть разорвано некоторое число связей. [34]
Между гранями кристалла и осями должны существовать рациональные отношения: отрезки осей, отсекаемых гранью при пересечении ею осей, относятся к длинам осей а, Ь и с, как простые числа. [35]
На гранях кристалла она зависит от направления и обусловливается ретикулярной плотностью: в одном и том же кристалле вершины и ребра всегда оставляют царапины на гранях. Классическим примером анизотропии твердости является дистен. [36]
На гранях кристалла происходит одновременное образование и разрастание нескольких плоских зародышей. При этом новые слои возникают раньше, чем предыдущие полностью покроют всю грань. В результате появляются полости, включающие маточный раствор. [37]
 |
Розетки твердости. [38] |
На гранях кристалла она зависит от направления и обусловливается ретикулярной плотностью: в одном и том же кристалле вершины и ребра всегда оставляют царапины на гранях. Классическим примером анизотропии твердости является дистен. [39]
На гранях кристаллов карборунда мы находим запорные слои двух типов. [40]
Если имеется грань кристалла, вблизи которой атомов углерода превышает соответствующую равновесную, то избыток атомов углерода будет выделяться на грани. [41]
 |
Кристалл оловянного камня. [42] |
Если вообразить грани кристалла передвинутыми параллельно самим себе так, что равнозначные грани передвигаются на одинаковое расстояние от центра, то образующиеся многогранники принимают идеальную возможную форму растущего кристалла. Однако на практике вследствие внешних воздействий обычно имеют место значительные отклонения от идеальной формы. Прежде всего при наличии соседних кристаллов, стесняющих его рост, кристалл приобретает сплющенную или удлиненную форму. Но выделяя грани кристалла и мысленно продолжая их, на основе закона постоянства гранных углов всегда можно определить, к какому классу данный кристалл относится, а следовательно, узнать его основную характеристику. На рис. 45 показаны реальный кристалл оловянного камня ( SnO2) и его идеализированная форма. [43]
Положение каждой грани кристалла определяется относительно кристаллографических осей и единичной грани основного четырехгранника. [44]
Нормаль к грани кристалла, проведенная из центра сферы проекций, продолжается до пересечения с плоскостью проекции. Гномони-ческая проекция плоскости представляет собой точку, проекция направления - прямую. Проекции граней одной зоны лежат на одной прямой. Полюсы граней, перпендикулярных плоскости проекции отодвигаются в бесконечность. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5