Грань - кристалл
Cтраница 4
Травитель растворяет грань кристалла неравномерно из-за анизотропии скоростей растворения. Симметрия фигуры травления отвечает симметрии грани, поэтому по форме фигуры можно определять симметрию кристалла. На рис. 88 и 89, где схематически показаны идеализированные формы фигур травления, видно, что фигуры травления действительно дают возможность установить симметрию кристалла. Такие же различия видны и в кристаллах других категорий. [46]
 |
Различные положения атома на растущей грани кристалла. [47] |
Представим себе грань кристалла кубической системы, разделенную на ряд элементарных ячеек наподобие шахматной доски. Рассмотрим различные положения атома на такой грани с точки зрения прочности их связи. Пусть атом, изображенный в виде кубика, находится на середине грани ( рис. 10, а); у такого атома только один ближайший сосед, а именно - тот атом, который находится под ним. Взаимодействие рассматриваемого атома с поверхностью в значительной мере определяется взаимодействием с тем единственным атомом, который лежит непосредственно под ним, а не с более дальними атомами, входящими в состав кристаллической решетки. [48]
Нормальный рост граней кристалла чрезвычайно чувствителен к возникновению диффузионной кинетики. Нарушение питания катионами активных участков кристаллизации вызывает изменение роста слоев, появление новых зародышей и усиленный рост кристаллов в направлении градиента концентрации. [50]
При проектировании граней кристалла в гномонических проекциях его элементы симметрии проектируются в линейных проекциях. [51]
 |
Различные кристаллографические формы алмазов.| Элементарная ячейка структуры алмаза.| Схема расположения атомов в плоских сетках. [52] |
В алмазах грани кристалла совпадают с плоскими сетками структуры, где атомы наиболее плотно упакованы. Количество атомов на единице поверхности разных плоских сеток различно. При стороне квадрата а плотность плоской сетки куба 100 ( рис. II.4, а) равна 2 / а2, так как каждый из четырех атомов, расположенных в вершинах квадрата, принадлежит одновременно еще трем квадратам. Поэтому данной плоской сетке принадлежит только одна четвертая часть атома вершины, а от четырех вершин - один атом. [53]
 |
Ход электронных лучей при отражении от плоского. [54] |
Для исследования граней кристаллов ширина образца может быть значительно меньшей, например 3 - 4 мм. [55]
Если рост граней кристалла при электроосаждении происходит за счет образования двухмерных зародышей на металле, ионы которого разряжаются, то необходимо определенное минимальное скоп. Для описания свойств такой системы вводим понятие о краевом натяжении р, которое является аналогом поверхностной работы. [56]
Для обозначения граней кристалла выбирают систему координатных осей, пересекающих любые три непараллельные грани. Если теперь выбрать четвертую грань, которая пересекает эти оси на расстояниях а, Ъ, с, то мы будем иметь естественную систему осей координат с определенными относительными длинами, в которой можно определить положение каждой грани кристалла. Плоскость, параллельная любой оси, пересекается с нею в бесконечности, и тогда соответствующий индекс Миллера для такой плоскости равен нулю. Эти обратные отношения, которые используют при определении индексов, играют большую роль в кристаллографии. [57]
Особенности рельефа грани кристалла непосредственно связаны с особенностями его роста. Если на грани расположена одна хорошо развитая спираль, это означает, что в образовании кристалла участвовала одна активная дислокация. В формировании кристалла часто участвуют две, три и более дислокаций. Соответственно на поверхности кристалла образуются несколько спиралей; при этом они видоизменяются определенным образом в зависимости от взаимного расположения, знака и вектора Бюргерса дислокаций. На рис. 5 показан пример объединения двух спиралей одного знака с гиперболической кривой пересечения, а на рис. 6 - примеры объединения трех по-разному расположенных и почти одинаково развитых спиралей одного знака. Ери взаимодействии дислокаций разных знаков на поверхности кристалла образуются замкнутые петли. На рис. 7 показано образование своеобразных петель из пяти пар разноименных дислокаций. [58]
Рассмотрим часть грани кристалла. Расположение атомов в кристалле таково, что каждый атом окружен определенным образом расположенными другими атомами. [59]
Скорость испарения грани кристалла в области, обдуваемой микроструей, была чрезвычайно мала, пока не достигалось критическое значение недосыщения. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5