Грань - растущий кристалл
Cтраница 1
 |
Силикатные цепи. [1] |
Грани растущего кристалла могут адсорбировать посторонние вещества, наличие которых нарушает его рост. [2]
Рассмотрим грань растущего кристалла, на которой возникает новая фаза, имеющая форму прямоугольного параллелепипеда с линейными размерами сг X сг X а, на котором, в свою очередь, расположен зародыш новой фазы с размерами с2 X с2 X а. [3]
 |
Схематический вид структур гипотетической двухмерной. [4] |
Когда грани растущего кристалла находятся в неодинаковых условиях, образуются монокристаллы с неправильными очертаниями. [5]
На гранях растущего кристалла всегда имеются различные дефекты поверхности в виде ступенек и выступов, на которых легко удерживаются новые атомы, поступающие из жидкости. [7]
 |
Разветвленные древовидные кристаллы ( дендриты. [8] |
Располагаясь на гранях растущего кристалла, эти вещества уменьшают поверхностное натяжение и уменьшают величину критического зародыша ( Кк 4 a / A G), что увеличивает их число. [9]
Степень термического переохлаждения вблизи грани растущего кристалла в однокомпонентных расплавах многих металлов очень мала ( 0 1 - 0 01 С) и измерение ее чрезвычайно затруднено. В двухкомпонентных расплавах измерение термического переохлаждения, достигающего несколько больших значений ( 10 - 12 С), облегчается. В двухкомпонентной системе переохлаждение вблизи грани растущего кристалла может быть и термическим, и диффузионным. [10]
Скорость роста определяется скоростью продвижения грани растущего кристалла и зависит от механизма роста, кристаллографического направления, градиента температур и концентраций, что существенным образом отражается на конечной структуре слитка. [11]
Сильный поток пересыщенного раствора возле граней растущих кристаллов смывает раствор, переставший быть пересыщенным, и непрерывно заменяет его свежим пересыщенным раствором. [12]
Представляет интерес высказывание В. И. Архарова о том, что адсорбция на грани растущего кристалла поверхностно активных примесей обусловлена плотностью вакансий и дислокаций, размером и ориентацией блоков. [13]
Большинство исследователей объясняют модифицирование избирательной адсорбцией поверхностно активных веществ на гранях растущих кристаллов. Покрытие граней адсорбционным слоем, препятствующим дальнейшему их росту, обусловливает уменьшение линейной скорости роста. Даже в случае неизменной скорости зарождения центров кристаллизации это приводит к увеличению количества центров и измельчению зерна. Адсорбционный механизм модифицирования развит в работах Гваяра и Филлипса [80], Ребиндера и Липмана [81], Семенченко 82 ] и других авторов. [14]
Однако блокирование поверхности наступает сразу, если плотность тока на гранях растущего кристалла опустится ниже некоторого предела. Понижение же плотности тока на растущих кристаллах происходит вследствие локального обеднения ионами металла прилегающего к кристаллу слоя электролита; на катоде все время происходит перераспределение тока между теми кристаллами, которые уже успели истощить вокруг себя электролит, и теми, которые только начинают свой рост. Чем интенсивнее добавка блокирует поверхность металла, тем короче оказывается период роста каждого кристалла и тем мельче структура получающегося осадка. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5