Грань - растущий кристалл
Cтраница 2
Наличие винтовых дислокаций резко снижает работу образования двухмерного зародыша на гранях растущего кристалла. [16]
Нойес и Уитни ( 341 считали, что осаждение твердого вещества на грани растущего кристалла представляет собой в сущности диффузионный процесс. Они также предполагали, что кристаллизация - это процесс, обратный растворению, и что скорости обоих процессов зависят от разницы между концентрациями у твердой поверхности и основной массы раствора. [17]
Это в свою очередь может приводить к заметному изменению поверхностно-адсорбционного слоя на гранях растущего кристалла и тем самым усложнять кинетику его роста. Однако, учитывая, что вводимые возмущения однотипны на протяжении всего цикла выращивания для каждого из растущих кристаллов, есть основание предполагать, что изменение температуры вносит ошибку лишь в определение абсолютных значений скоростей роста, и разработанная методика с успехом может быть использована для проведения сравнительных испытаний и установления особенностей кинетики кристаллизации алмаза. [18]
В том случае, когда рост кристаллов определяется диффузией атомов из расплава к грани растущего кристалла, характер структуры ближнего порядка может влиять на скорость роста кристаллов в переохлажденном расплаве. Структура ближнего порядка жидкости оказывает влияние не только на диффузию, но и на другие характеристики, в том числе на вязкость. [19]
 |
Строение литого металла ( слитка. [20] |
Вследствие меньшей растворимости примесей в твердой фазе слой жидкой фазы, примыкающий к грани растущего кристалла, обогащается примесями. Если жидкая фаза по той или иной причине перемещается в процессе кристаллизации, то объемы, обогащенные примесями, наблюдаются в различных местах слитка - развивается зональная ликвация. [21]
 |
Рельефная структура поверхности графитных включений. [22] |
Анизотропия сил межатомной связи в графите делает возможным множественное зарождение винтовых дислокаций на грани растущего кристалла. На рис. 15 е схематически показано начало формирования клещевидного дефекта на кромке растущего графитного слоя. [23]
Вследствие меньшей растворимости примесей в твердой фазе слой жидкой фазы, примыкающий к грани растущего кристалла, обогащается примесями. Если жидкая фаза по той или иной причине перемещается в процессе кристаллизации, то объемы, обогащенные примесями, наблюдаются и различных местах слитка - развивается зональная ликвация. [24]
Зависимость скорости роста от переохлаждения хорошо согласуется с теоретическими представлениями об образовании на грани растущего кристалла двумерных зародышей. При меньших переохлаждениях скорость роста практически равна нулю. [25]
Интенсивное перемешивание в условиях псевдоожижения увеличивает скорость подачи материала путем диффузии его к граням растущих кристаллов, что ускоряет их рост. При этом быстро уменьшается степень пересыщения раствора. При больших скоростях раствора, как известно, увеличивается скорость образования зародышей; это может привести к снижению размеров кристаллов. При одинаковых температурах и гидродинамических условиях с уменьшением степени пересыщения скорость роста кристаллов возрастает в большей степени, чем скорость образования зародышей. Обычно таким способом осуществляют кристаллизацию относительно слабо пересыщенных растворов вблизи нижней границы метастабильной области, регулируя степень пересыщения, температуру, соотношение количеств кристаллов и раствора, а также время пребывания кристаллов в аппарате. [26]
 |
Выпарной аппарат-кристаллизатор с псевдоожиженным слоем и выносной нагревательной камерой. [27] |
Интенсивное перемешивание в условиях псевдоожижения увеличивает скорость подачи материала путем диффузии его к граням растущих кристаллов, что ускоряет их рост. При этом быстро уменьшается степень пересыщения раствора. [28]
Кроме того, на поверхности реальных тел, имеющих кристаллическое строение, на гранях растущего кристалла непрерывно возникают различные дефекты поверхности ( ступени, выступы) в виде винтовых дислокаций или недостроенных атомных поверхно-стей. [29]
 |
Изменение скорости роста кристалла сахарозы во времени после первоначального частичного растворения кристалла ( по Груту. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5