Грань - растущий кристалл
Cтраница 3
Эти факты привели большинство ученых к точке зрения, что при кристаллизации диффузия сопровождается поверхностной реакцией на грани растущего кристалла. Были, однако, выдвинуты другие предпо - ложения. Некоторые авторы утверж - дают, что кристалл растворяется быстрее, чем растет, так как открытые твердые поверхности неодинаковы в каждом случае. Когда кристалл растет, грани его плоские, а когда он растворяется, грани его обычно испещрены ямками, что приводит к увеличению площади контакта между твердой и жидкой фазами. [31]
Рассмотренные выше теории ( В. К. Семенченко, П. А. Ребиндера и В. И. Архарова) объясняют механизм модифицирования избирательной адсорбцией поверхностно активных добавок на гранях растущих кристаллов. В процессе разделительной диффузии вблизи фронта кристаллизации, а следовательно, и зародышеобразова-ния в переохлажденном расплаве большую роль должна играть взаимная растворимость компонентов сплава, которая определяется, в частности, размерным фактором. [32]
При ненаправленной подаче материала на поверхность растущей со вокупности исчезает зависимость количества материала, поступающего из среды, от положения грани растущего кристалла. [33]
Что касается отмеченного для концентрированных растворов некоторого увеличения Дрс размешиванием, то оно, по-видимому, связано с усилением пассивации граней растущих кристаллов вследствие облегчения подачипассиваторов ( кислород, примеси) к катоду. В связи с предположением о недиффузионном ( в основном) характере торможения катодного процесса мы исследовали, в какой степени функциональная зависимость ср от i соответствует теории замедленного разряда. [34]
Можно представить, что при осаждении оксалата урана в присутствии церия последний в соответствии с величиной А прочно адсорбируется на гранях растущих кристаллов и в отличие от неспецифических примесей не вытесняется при отложении следующих кристаллических слоев. Однако состояние таких замурованных ионов церия внутри твердой фазы оказывается неустойчивым, и они в дальнейшем стремятся перейти обратно в раствор. Этот процесс обратного выделения, конечно, может оказаться весьма затрудненным. В случае, когда D А, перекристаллизация, очевидно, не может привести к равновесному распределению, так как в процессе перекристаллизации все время происходит обмен микрокомпонентом между раствором и поверхностью кристаллов, а этот обмен определяется величиной А. Вопрос о том, каким образом осуществляется наблюдаемое в длительных опытах выделение церия из твердой фазы, требует дальнейшего изучения. По-видимому, в принципе следует допустить не только возможность различного состояния постороннего компонента в объеме и на поверхности кристаллов, но, судя по имеющимся в литературе данным о секториалыюм строении кристаллов [80], также и возможность различного осаждения примеси на разных гранях кристалла. Последнее также должно затруднять установление равновесия между смешанными кристаллами и раствором. Особенности рассматриваемой системы не позволяют найти для нее неоспоримого места в существующей классификации процессов соосажде-ния. В данном случае нельзя говорить об изоморфном соосаждении; не подлежит сомнению также, что церий способен распределяться по всему объему твердой фазы, а не находиться только на поверхности кристаллов. Наименование аномальные смешанные кристаллы нельзя применить безоговорочно, так как, согласно определению Никитина [81], смешанные кристаллы должны находиться в устойчивом равновесии с раствором. [35]
Следует в то же время иметь в виду, что некоторые примеси, в том числе компоненты плавня и газовой среды, сорбируясь на грани растущего кристалла, могут обрывать рост соответствующей ступени, вызывая образование повышенного числа структурных дефектов типа дислокаций. Это влияет и на размер кристаллов. Некоторые эмпирически подобранные рецепты получения мелкозернистых люминофоров по существу основаны на использовании этого явления. [36]
Для количественной характеристики процесса, вводят величину, называемую линейной скоростью роста граней кристалла, подразумевая под последней расстояние, на которое продвигается в единицу времени грань растущего кристалла в направлении перпендикуляра к ее поверхности. Линейная скорость роста убывает с возрастанием вязкости и у аморфных твердых тел оказывается А очень малой. [37]
 |
Сравнение скоростей кристаллизации сахарозы.| Энергии активации роста кристалла ( /, диффузии ( 2 и вязкости ( 3 сахарозы при постоянном пересыщении ( по Ван Хуку 148 ]. [38] |
Данные, представленные в табл. 16, составлены для определенной степени пересыщения 1 05 г / см3 и показывают, что при температурах ниже 45 С на грани растущего кристалла имеется избыток сахарозы, но выше этой температуры наблюдается недостаток ее. Эти результаты, следовательно, свидетельствуют о том, что при температуре выше 45 С процесс кристаллизации определяется диффузией. При температуре ниже 45 С скорость диффузии не имеет значения. [39]
Дедек 152J пришел к такому же заключению, когда сравнил скорость, при которой сахароза кристаллизуется из водного раствора с теоретической скоростью, при которой сахароза появляется на грани растущего кристалла в результате диффузии через раствор. [40]
Это обусловлено тем, что в процессе кристаллизации часть примеси захватывается кристаллами основного вещества вследствие образования смешенных кристаллов ( твердых растворов) или вследствие адсорбции примесных молекул на гранях растущих кристаллов. [41]
 |
Зависимость lg Go ( а и Ig ( lgGo ( б от отношения ( иа - Рв / аа. [42] |
К сожалению, придать этим значениям физический смысл довольно трудно ввиду того, что это потребовало бы априорного знания размера структурных элементов роста, принимающих участие в процессе переноса на грань растущего кристалла. [43]
При Ci in / Ci c0 05 кристал, оставаясь в целом однородным, начинает захватывать пенькие области фазово-расслаившейся примеси Эти включения, благодаря вытеснению, шливаются в центральной части граней растущего кристалла. [44]
 |
Зависимость скорости зарождения кристаллов от переохлаждения. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5