Грань - растущий кристалл
Cтраница 4
В случае кристаллизации из растворов процесс роста кристаллов зависит не только от тепловых процессов на границе твердой и жидкой фаз, но и от диффузии частиц ( атомов, ионов, молекул) вещества из раствора к граням растущего кристалла. При этом процесс состоит из двух этапов: диффузии частиц кристаллизуемого вещества из раствора к поверхности кристалла, их распределении и встройки в кристалл. [46]
Резкое изменение габитуса и размеров кристаллов, образующихся в присутствии алюминия п F -, алюминия и SiFe, связано, по всей вероятности, с образованием в фосфорнокислом растворе комплексного иона [ A1F2 ] [22, 23], который избирательно адсорбируется на гранях растущих кристаллов. [47]
Для получения совершенных кристаллов необходимо очень тщательно регулировать температуру расплава и вытягиваемого кристалла. Грань растущего кристалла, находящаяся в контакте с расплавом, должна быть плоской; необходимо избегать механических вибраций - Метод зонной плавки идеально пригоден для производства монокристаллов. [48]
Рост кристалла значительно облегчается тем, что грани его не представляют идеально ровных плоскостей. На гранях растущего кристалла всегда имеются различные дефекты поверхности в виде ступенек и выступов, на которых легко удерживаются новые атомы, поступающие из жидкости. [50]
Рост кристалла значительно облегчается тем, что грани его не представляют идеально ровных плоскостей. На гранях растущего кристалла всегда имеются различные дефекты поверхности в виде ступенек и выступов, на которых легко удерживаются новые атомы, поступающие из жидкости. В этом случае рост кристалла может протекать даже без образования двумерного зародыша. [51]
Рост кристалла значительно облегчается тем. На гранях растущего кристалла всегда имеются различные дефекты поверхности в виде ступенек и выступов, на которых легко удерживаются, новые атомы, поступающие из жидкости. [52]
Рост кристалла значительно облегчается тем, что грани его не представляют идеально ровных плоскостей. На гранях растущего кристалла всегда имеются различные дефекты поверхности в виде ступенек и выступов, на которых легко удерживаются новые атомы, поступающие из жидкости. В этом случае рост кристалла может протекать даже без образования двумерного зародыша. [53]
Выращиванием посредством парофазных реакций получают, например, графитовые ( углеродные) монокристаллы за счет термического разложения углеводородов. Вследствие различной реакционной способности граней растущего кристалла его рост происходит преимущественно в направлении длинной оси. [54]
Давно было установлено, что рост кристалла из разбавленного раствора протекает значительно быстрее, чем это рассчитано для идеального кристалла. Благодаря образованию винтовых дислокаций на грани растущего кристалла атомы из жидкой фазы непрерывно присоединяются к ступеньке, возникшей на поверхности в местах выхода дислокаций. На плотноупакованной грани с выходом одной дислокации в условиях, близких к равновесию между растущим кристаллом и расплавом, образующаяся ступень будет прямой, а при увеличении переохлаждения или пересыщения ступень искривляется и со временем возникает спираль, подобная архимедовой. Атомы расплава присоединяются к спирали по всей ее длине с определенной скоростью, зависящей от величины переохлаждения. Вследствие того что данный механизм не связан с зарождением новых плоскостей, а длина спирали, к которой присоединяются атомы, может быть очень большой, скорость роста кристалла намного превышает расчетную. Степень пересыщения, требующаяся для роста кристалла на дислокации, на порядок меньше, чем в случае, когда рост осуществляется по механизму образования двумерных зародышей [ 59, с. [55]
Вероятность образования двухмерных зародышей на грани растущего кристалла является весьма чувствительной функцией пересыщения. Она оказывается ничтожной при малых степенях пересыщения. [56]
По формуле (13.50) равновесная форма многогранного кристалла определяется удельными свободными поверхностными или межфазными энергиями отдельных граней, причем расстояния отдельных граней от центра кристалла пропорциональны межфазным энергиям у. Таким образом, равновесная форма определяется величинами у граней растущего кристалла. По мере того, как благодаря избирательной адсорбции, изменяются удельные свободные межфазные энергии, изменяются также скорости перемещения граней растущего кристалла. При этом преимущественно развиваются те грани, которые имеют самую низкую свободную межфазную энергию, обусловленную адсорбцией. [57]
Технический продукт, поступающий на рафинирование ( перекристаллизация или ректификация) должен обладать высокой чистотой, так как превратить загрязненный и интенсивно окрашенный технический продукт в рафинированный при однократной кристаллизации или одной перегонке невозможно. Это обусловлено тем, что при кристаллизации на поверхности граней растущего кристалла адсорбируются посторонние вещества, содержащиеся в неочищенном растворе; при перегонке вещества пары уносят с собой частицы перегоняемого вещества. Кроме того, с загрязняющими веществами могут образовываться азеотропные смеси, следовательно, чем ниже качество технического продукта, тем больше посторонних веществ поступит в готовый продукт. [58]
Большое значение в процессе роста кристаллов имеют винтовые и краевые дислокации, выходящие на поверхность растущего кристалла. Наличие винтовой дислокации резко снижает работу образования двухмерного зародыша на гранях растущего кристалла, а если длина края винтовой дислокации превышает длину края равновесного двухмерного зародыша, то рост кристалла может происходить без образования двухмерных зародышей путем прямого присоединения к образующемуся дислокационному выступу молекул ( атомов) исходной фазы. Вследствие особой формы поверхности грани при наличии винтовой дислокации на ней образуется характерная спираль роста. [59]
Большое значение в процессе роста кристаллов имеют винтовые и краевые дислокации, выходящие на поверхность растущего кристалла. Наличие винтовой дислокации резко снижает работу образования двухмерного зародыша па гранях растущего кристалла, а если длина края винтовой дислокации превышает длину края равновесного двухмерного зародыша, то рост кристалла может происходить без образования двухмерных зародышей путем прямого присоединения к образующемуся дислокационному выступу молекул ( атомоп) исходной фазы. Вследствие особой формы поверхности грани при наличии винтовой дислокации па ней образуется характерная спираль роста. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5