Диффузия - носитель
Cтраница 1
Диффузия носителей приводит к росту электрического поля и потенциального барьера, при этом растет дрейфовый ток. Такой режим соответствует равновесному состоянию р-п перехода при отсутствии внешнего электрического поля. [1]
Диффузия носителей через переход становится практически невозможной, поэтому ток / а / диф - / др - др - В этом случае поле р-п перехода втягивает все подошедшие к нему неосновные носители независимо от потенциального барьера и через переход протекает только ток неосновных носителей: ток дырок из n - области в р-слой и электронов из р-в я-слой. Однако ток неосновных носителей, или обратный ток, значительно меньше прямого тока через р-п переход в случае 2, так как число неосновных носителей в полупроводнике мало. [2]
Диффузия носителей приводит к росту электрического поля и потенциального барьера, при этом растет дрейфовый ток. ДР - Такой режим соответствует равновесному состоянию р-п перехода при отсутствии внешнего электрического поля. [3]
Диффузия носителей электричества из газоразрядного столба происходит под влиянием градиента их концентрации. [4]
Поскольку диффузия носителей происходит на небольшую глубину ( порядка единиц микрон), в излучении участвует не вся поверхность торца полупроводникового диода, а лишь области, непосредственно примыкающие к плоскости раздела р - и - областей. [5]
Время диффузии носителей к переходу, а также время дрейфа их в контактном поле определяют инерционные свойства приборов. [6]
Процесс диффузии носителей одного знака сопровождается в однородно легированных полупроводниках диффузией носителей заряда другого знака. Предположим, что часть дырок ушла из данного объема полупроводника. В результате нарушилась электро-нейтралыюсть этого объема, образовался пространственный заряд и возникло электрическое поле. Поле вызовет появление потока электронов, которые полностью восстановят электронейтральность в образце, причем произойдет это практически мгновенно. [7]
Поэтому начинается диффузия носителей из области с большей концентрацией в область с меньшей. [8]
В результате диффузии носителей в базе между эмиттером и коллектором через базу возникает обратная связь. [9]
В результате диффузии носителей по обе стороны границы раздела двух полупроводников с различным типом электропроводности создаются объемные заряды различных знаков. В области п возникает положительный объемный заряд. Он образован главным образом положительно заряженными атомами донорной примеси и в небольшой степени пришедшими в эту область дырками. Подобно этому в области р возникает отрицательный объемный заряд, образованный отрицательно заряженными атомами акцепторной примеси и, отчасти, пришедшими сюда электронами. На рис. 2 - 1, а для упрощения носители и атомы примесей показаны только в области перехода. [10]
 |
Схема электрогенерирующего термоэлемента. [11] |
Разность температур вызывает термодинамическую диффузию носителей. В результате электроны и дырки концентрируются на холодных спаях, обедняя горячие. [12]
 |
Кривая градиента концентрации электронов. [13] |
Ток, возникающий при диффузии носителей из области, где их концентрация повышена, называется диффузионным. Чтобы понять, что заставляет носители заряда перемещаться в область, где их меньше, рассмотрим электрон ( это может быть и дырка), для которого концентрация соседних электронов с разных сторон неодинакова. Если концентрация электронов с одной стороны увеличивается, а с другой - уменьшается, то там, где выше концентрация, будет больше и вероятность столкновения электронов друг с другом. Поэтому электрон, совершая хаотическое тепловое движение, будет отклоняться туда, где будет испытывать меньше столкновений. В результате носители заряда, совершающие тепловое движение, будут смещаться в том направлении, в котором уменьшается их концентрация, что приведет к протеканию диффузионного тока. [14]
Время задержки определяется временами диффузии носителей к центральному р - - переходу. С ростом интенсивности света время t3 уменьшается вследствие увеличения коэффициента диффузии. Для повышения фоточувствительности и уменьшения времени задержки целесообразно уменьшать толщины баз составляющих транзисторов. [15]
Страницы: 1 2 3 4