Диффузия - носитель
Cтраница 2
Уравнение, связывающее коэффициент диффузии носителей и их подвижность, носит название соотношения Эйнштейна. [16]
Объемный заряд, возникающий при диффузии носителей одного типа, может компенсироваться носителями др. типа. Поле объемного заряда замедляет белее подвижные и ускоряет менее подвижные носители. [17]
Частотные свойства транзистора определяются временем диффузии носителей через область базы ( та), барьерной ( Ск) и диффузионной ( Сэд) емкостями. [18]
Зарядная емкость образуется в результате диффузии носителей из области перехода при отсутствии смещения на нем. При этом вблизи перехода создается обедненная область, в которой концентрация подвижных носителей весьма мала; остающиеся в этой области неподвижные заряды создают электростатическое напряжение - контактную разность потенциалов. [19]
В последних двух разделах дрейф и диффузия носителей рассматривались раздельно: в первом случае считалось, что нет инжекции, во втором - поле считалось пренебрежимо малым. [20]
В обычных биполярных транзисторах среднее время диффузии носителей через базу значительно превышает время их дрейфа через коллекторный переход, которым мы обычно пренебрегаем и рассматриваем только влияние диффузии на частотные характеристики. [21]
В общем случае необходимо учитывать также диффузию носителей, в результате которой толщина слоя накопления Д, внутри которого существует электронно-дырочная плазма, увеличивается, а толщина обедненного слоя структуры уменьшается. [22]
Прямой ток / 1 диода определяется диффузией носителей вследствие изменяющейся концентрации их в диоде, в то время как обратный ток / характеризуется постоянным возникновением новых пар носителей, которое противодействует указанной диффузии. Следовательно, составляющие тока диода возникают по независимым друг от друга причинам. Поэтому и шумовые токи, соответствующие им, мы должны считать полностью некоррелированными. [23]
В фотодиодном режиме параметр тпр определяет время диффузии носителей от зоны их генерации до р-п перехода. [24]
Величина тэкв зависит от соотношения между временами жизни и диффузии носителей. [25]
Прибор работает нормально до тех пор, пока время диффузии носителей через базу меньше периода колебаний переменного сигнала. [26]
Основной механизм разделения зарядов в чистых образцах связан с диффузией фотовозбужденных носителей. [27]
 |
Энергетическая диаграмма ( а и вольт-амперные характеристики ( б обращенных диодов. [28] |
При прямых напряжениях на таком диоде прямой ток связан с диффузией носителей через понизившийся потенциальный барьер / 7-п-перехода. [29]
 |
Схема ческом поле 2. [30] |
Страницы: 1 2 3 4