Диффузия - носитель
Cтраница 3
При равномерном освещении всей площади образца между электродами имеется в виду диффузия носителей в электроды. [31]
Это обусловлено малым временем фоточувствительности ( обеднения) и большой длиной диффузии носителей в полупроводнике. [32]
 |
Зависимость анизотропии электропроводности на пере. [33] |
С другой стороны, соотношение Эйнштейна (3.40) связывает подвижность с коэффициентом диффузии носителей. [34]
 |
Статическая вольтам-перная характеристика р-п перехода. [35] |
При выводе уравнения (2.32) предполагалось, что ток через переход обусловлен диффузией носителей. Это означало, что объемный заряд инжектированных носителей и электрическое поле, создаваемое этим зарядом, малы. Однако эти предположения не всегда справедливы. [36]
Как правило, параллельно реализующиеся механизмы переноса ( например, инжекция и диффузия носителей в квазинейтральной области или рекомбинационно-генерационный процесс в обедненном слое) не воздействуют существенно друг на друга, поэтому результирующий ток можно найти посредством сложения соответствующих токов. [38]
Процесс исчезновения неравновесных носителей заряда в рассматриваемом случае состоит из двух последовательных стадий: диффузии носителей из объема к поверхности и их рекомбинации на поверхности кристалла. [39]
 |
Векторные диаграммы токов и напряжений транзистора. а - на низких частотах. 6 - на высоких частотах. [40] |
Известно, что при работе транзисторов на низких частотах ток коллектора iK образуется замечет диффузии носителей, инжектируемых эмиттером в базу; время диффузии в области низких частот значительно меньше периода колебаний, и в результате токи эмиттера и коллектора изменяются синфазно. Направление этих токов противоположно, так как первый втекает в базу, а второй вытекает из нее. [41]
В диффузионном переносе тепла это фундаментальное решение имеет физический смысл в том, что диффузия носителей энергии подчиняется закону случайных процессов. [42]
Если диоды сделаны из одного материала, то приближенно можно считать, что коэффициенты диффузии носителей в них одинаковые. [43]
Необходимо отметить, что в вырожденных полупроводниках, например при высоких уровнях легирования, коэффициенты диффузии носителей имеют концентрационную зависимость. [44]
Как связано время пролета неосновных носителей заряда через базу диода с толщиной базы и коэффициентом диффузии неосковных носителей. [45]
Страницы: 1 2 3 4