Диффузия - носитель
Cтраница 4
 |
Зонная диаграмма слоев ( а и р-п перехода в равновесном состоянии ( б.| Зонная схема движения носителей в переходе. [46] |
Пространственные заряды в переходе образуют электрическое поле, которое направлено так, что оно ограничивает диффузию носителей. [47]
Пространственные заряды в переходе образуют электрическое поле, которое направлено так, что оно ограничивает диффузию носителей. [49]
Во время скачков напряжения в транзисторном бло-кинг-генераторе существенную роль играет инерционность транзистора, связанная с диффузией носителей. Известно, что скорость движения носителей в транзисторе намного меньше, чем в лампе, а это приводит к затягиванию процесса перехода блокинг-генератора из одного состояния в другое. [50]
Для коротковолновой области, где коэффициент поглощения большой, возникает большой градиент концентрации свободных носителей и диффузия носителей в глубь слоя преобладает над дрейфом их в поле приповерхностного заряда. В случае слабо поглощаемого света, когда распределение генерированных носителей тока почти равномерно по глубине слоя, диффузией свободных носителей можно пренебречь, а направление движения носителей тока будет определяться полем приповерхностного заряда, и если изгиб зон антизапорный, то носители будут двигаться не в глубь слоя, а в сторону освещаемой поверхности. [51]
На интервале ta-t концентрация неосновных носителей у переходов достаточно велика и под воздействием градиента концентрации носителей начинается диффузия носителей через переходы: обратный ток через переход П1 будет чисто дырочным / л / / рь ток через ПЗ - чисто электронным 1Г13 1пг, а ток через / 72 будет состоять из электронной и дырочной составляющих 1пг1Р2 1П2 - Исчезновение избыточного заряда электронов Qn в р-базе происходит за счет их ухода с током / з и рекомбинации. Так как Qn QP, то р-база быстрее теряет заряд избыточных носителей, чем я-база. [52]
Величину Афо иногда называют диффузионным потенциалом, поскольку эта разность потенциалов, во-первых, образуется в результате диффузии носителей через переход, и, во-вторых, противодействует диффузионным потокам носителей. Еще одно название для величины Аф0 - контактная разность потенциалов - ставит ее в один ряд с аналогичной величиной, хорошо известной из теории металлических контактов; при этом, однако, не отражается специфика р-п перехода, состоящая в том, что он не может быть получен путем спайки или сварки соответствующих компонентов. [53]
 |
Вольт-амперная характеристика ( ВАХ р - п-перехода. [54] |
Здесь / с еп Е / 1, причем длина ls по порядку величины равна сжатой длине диффузии носителей против внутр. Из-за этого с ростом U ток по ф-ле ( 9) растет медленнее, чем ток по ф-ле ( 7), и дает ему обогнать себя при достаточно больших смещениях. [55]
Величину Аф0 иногда называют диффузионным потенциалом, поскольку эта разность потенциалов, во-первых, образуется в результате диффузии носителей через переход и, во-вторых, противодействует диффузионным потокам носителей. [56]
Нередко явления, о которых идет речь, исследуются при наличии внешних электрических полей, когда на диффузию носителей накладывается их дрейф в электрическом поле. Некоторые новые возможности измерения параметров полупроводников появляются при изучении диффузии в магнитном поле. [57]
 |
Схемы подачи питания на электроды транзисторов р-п - р и п-р - п с условными обозначениями выводов. [58] |
В результате на границе раздела р - и га-областей возникает устойчивый потенциальный барьер, характеризующийся динамическим равновесием сил диффузии носителей и встречного поля. [59]
Задний фронт импульса имеет затянутый спад, длина которого значительно больше величины, которую можно было бы объяснить диффузией носителей в слое пространственного заряда. [60]
Страницы: 1 2 3 4